三星电子在 HBM3 时期遭遇了重大挫折,将 70% 的 HBM 内存市场份额拱手送给主要竞争对手 SK 海力士,更是近年来首度让出了第一
发表于 04-18 10:52
近期,三星电子设备解决方案(DS)部门负责人兼副董事长全永铉(Jun Young-hyun)与英伟达公司CEO黄仁勋,在加利福尼亚州桑尼维尔的英伟达总部举行了一次重要会议。此次会议聚焦于三星
发表于 02-18 11:00
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近日,英伟达公司正在积极推进对三星AI内存芯片的认证工作。据英伟达CEO透露,他们正在不遗余力地加速这一进程,旨在尽快将三星的
发表于 11-25 14:34
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在测试两家公司的样品后,特斯拉将选择其中一家作为HBM4供应商。通过使用三星和SK海力士生产的定制HBM4芯片,特斯拉除了减少对Nvidia的AI
发表于 11-22 01:09
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三星电子计划在韩国天安市新建一座半导体封装工厂,以扩大HBM内存等产品的后端产能。该工厂将依托现有封装设施,进一步提升三星电子在半导体领域的
发表于 11-14 16:44
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近日,三星电子计划在韩国忠清南道天安市的现有封装设施基础上,再建一座半导体封装工厂,专注于HBM(High Bandwidth Memory,高带宽存储器)等内存产品的生产。据悉,三星
发表于 11-13 11:36
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据业内人士透露,三星电子已对其2025年底的高带宽内存(HBM)最大产能目标进行了调整,下调幅度超过10%,从原先计划的每月20万颗减至17万颗。这一变动主要归因于向主要客户的量产供应遭遇延迟,导致
发表于 10-14 16:00
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近日,三星电子因向英伟达供应HBM3E内存的延迟,对其HBM内存的产能规划进行了调整。据韩媒报道,三星
发表于 10-11 17:37
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三星电子近期发布预测,指出全球HBM(高带宽内存)需求正迎来爆发式增长。据三星估算,到2025年,全球HBM需求量将跃升至250亿GB,较今
发表于 09-27 14:44
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在科技日新月异的今天,三星电子与台积电两大半导体巨头的强强联合再次引发业界瞩目。据最新报道,双方正携手并进,共同开发下一代高带宽存储器(HBM4)人工智能(AI)芯片,旨在进一步巩固并
发表于 09-09 17:37
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据最新报道,三星电子与台积电携手共谋AI芯片的未来,双方正紧密合作开发下一代高带宽存储器(HBM4)芯片,旨在巩固并加强各自在快速增长的人工智能芯片市场
发表于 09-06 16:42
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近日,知名市场研究机构TrendForce在最新发布的报告中宣布了一项重要进展:三星电子的HBM3E内存产品已成功通过英伟达验证,并正式开启
发表于 09-05 17:15
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9月4日最新资讯,据TrendForce集邦咨询的最新报告透露,三星电子已成功完成其HBM3E内存产品的验证流程,并正式启动了HBM3E 8Hi(即24GB容量版本)的出货,该产品主要
发表于 09-04 15:57
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近期,科技界传来重要消息,三星、SK海力士及美光三大半导体巨头正全力推进高带宽内存(HBM)的产能扩张计划。据预测,至2025年,这一领域的
发表于 08-29 16:43
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进入八月,市场传言四起,韩国存储芯片巨头三星电子(简称“三星”)的8层HBM3E内存(新一代高带宽内存产品)已顺利通过英伟达严格测试。然而,
发表于 08-23 15:02
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