纳微半导体下一代GaNFast?氮化镓技术为三星打造超快“加速充电”

下一代GaNFast氮化镓技术为三星打造超快“加速充电”(SFC)

加利福尼亚州托伦斯2024年2月21日讯 — 唯一全面专注的下一代功率半导体公司及氮化镓和碳化硅功率芯片行业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）宣布其GaNFast氮化镓功率芯片为三星全新发布的“AI机皇”—— Galaxy S24智能手机打造25W超快“加速充电”。

作为新一代三星旗舰，Galaxy S24配备了一块2340 x 1080（FHD+）分辨率的第二代动态AMOLED屏，最高刷新率可达120Hz。Galaxy S24还集成了创新实用的人工智能功能，为用户的交流、创作和发现世界的方式提供更多可能。Galaxy的人工智能功能，如实时翻译、聊天助理以及和谷歌合作的全新“圈选搜索”功能，为S24用户带来全新的智能手机体验。

由纳微半导体助力打造的25W GaNFast充电器，仅需30分钟就能为Galaxy S24所配备的4000mAh电池充至一半电量，并支持USB PD 3.0（Type-C）协议，能与其他三星产品如Galaxy Buds2、Galaxy Z Fold5、Galaxy Flip和Galaxy A23等兼容，为它们提供高达25W的充电功率。

基于可持续发展的环保理念，该25W充电器在待机模式下的功耗降低了75%。纳微半导体的GaNFast技术运用在高频反激（HFQR）拓扑中，运行频率达150kHz，比标准硅设计快3倍，同时与传统充电器设计相比，体积缩小了30%。

纳微半导体全球高级销售副总裁David Carroll

“我们很高兴能够与三星进一步深入合作，与他们一同开发突破性的手机充电技术。

纳微半导体的GaNFast氮化镓功率芯片助力三星打造紧凑轻量、能效更高的25W充电器，可为全新的Galaxy S24和三星其他系列的手机和配件带来快速充电。”

审核编辑：刘清