DDR5实现大幅增长 美光计划明年初大量出货HBM3E
根据11月24日的消息，由于厂商减产的效果逐渐显现，以及特定应用市场的持续强劲需求，2023年第4季度DRAM和NAND闪存的价格正在全面上涨，并有望延续至明年第1季度。
预计2023年第4季度移动DRAM的合约价格将上涨13-18%，而eMMC和UFS NAND Flash的合约价格将上涨约10-15%。这种上涨趋势预计将持续至2024年第1季度。
2024年手机市场的一个显著变化是终端人工智能的兴起，包括骁龙8 Gen 3、天玑9300和Exynos 2400等各种芯片组，都将加入人工智能元素。
据行业专家预测，DDR5市场的需求将在价格下降和公司盈利能力持续提高的推动下，大幅增长。
作为一种高附加值的DRAM，DDR5仍然受到各大厂商的青睐。美光最近宣布推出基于1β技术的DDR5内存，速度高达7200 MT/s，标志着其向数据中心和PC市场的转型。
类似于DDR5，HBM作为一种高附加值的DRAM在今年备受关注。在人工智能趋势的推动下，HBM市场的需求激增，各供应商正在不断扩大其产能。
美光首席执行官Sanjay Mehrotra透露，该公司计划在2024年初开始大量出货HBM3E。
总结，DRAM和NAND闪存的价格正在全面上涨，终端人工智能正成为手机市场的一个重要变化，DDR5市场需求将大幅增长，而HBM市场需求亦在日益增长，供应商正加大其产能以满足市场需求。
审核编辑：黄飞
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
DRAM
+关注
关注
40文章
2351浏览量
185903 -
NAND
+关注
关注
16文章
1724浏览量
138434 -
HBM
+关注
关注
2文章
413浏览量
15289 -
DDR5
+关注
关注
1文章
448浏览量
24966 -
HBM3
+关注
关注
0文章
74浏览量
341 -
HBM3E
+关注
关注
0文章
80浏览量
590
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
风景独好？12层HBM3E量产，16层HBM3E在研，产业链涌动
海力士宣布公司已开始量产12H HBM3E芯片，实现了现有HBM产品中最大的36GB容量。该产品堆叠12颗3GB DRAM芯片，实现与现有的
英伟达认证推迟，但三星HBM3E有了新进展
明年。目前博通凭借自有半导体设计能力，正为谷歌代工第七代TPU"Ironwood"及Meta自研AI芯片"MTIA v3"。 ? 此外，三星电子也积极推进向亚马逊云服务（AWS）供应HBM3E 12层产品，近期已在平泽园区启动实
三星与英伟达高层会晤，商讨HBM3E供应
其高带宽存储器HBM3E产品中的初始缺陷问题，并就三星第五代HBM3E产品向英伟达供应的相关事宜进行了深入讨论。 此次高层会晤引发了外界的广泛关注。据推测，三星8层HBM3E产品的质量认证工作已接近尾声，这标志着三星即将正式迈入
三星电子将供应改良版HBM3E芯片
三星电子在近期举行的业绩电话会议中，透露了其高带宽内存（HBM）的最新发展动态。据悉，该公司的第五代HBM3E产品已在2024年第三季度实现大规模生产和销售，并在第四季度成功向多家GPU厂商及数据中心供货。与上一代
美光加入16-Hi HBM3E内存竞争
近日，全球DRAM内存巨头之一的美光科技公司宣布，将正式进军16-Hi(即16层堆叠)HBM3E内存市场。目前，美光正在对最终设备进行评估，
SK海力士加速16Hi HBM3E内存量产准备
近日，SK海力士正全力加速其全球首创的16层堆叠(16Hi)HBM3E内存的量产准备工作。这一创新产品的全面生产测试已经正式启动，为明年初的样品出样乃至2025年上半年的大规模量产与供应奠定了
美光发布HBM4与HBM4E项目新进展
2048位接口，这一技术革新将大幅提升数据传输速度和存储效率。美光计划于2026年开始大规模生产HBM4，以满足日益
DDR5内存的工作原理详解 DDR5和DDR4的主要区别
实现性能提升。 2.1 数据传输速率 DDR5内存的数据传输速率比DDR4更高。DDR4的最高速度为3200MT/s，而
SK海力士发布HBM3e 16hi产品
在近日举办的SK AI Summit 2024活动中，SK hynix（SK海力士）透露了一项令人瞩目的新产品计划。据悉，该公司正在积极开发HBM3e 16hi产品，这款产品的每颗HBM芯片容量高达48GB，将为用户带来前所未有
HBM明年售价预计上涨18%，营收年增156%
市场调研机构集邦科技对HBM（高带宽存储器）的长期发展持乐观态度。据其预测，明年HBM3e将占据整体HBM市场的近九成份额，这将推动HBM产
美光12层堆叠HBM3E 36GB内存启动交付
美光科技近期宣布，其“生产可用”的12层堆叠HBM3E 36GB内存已成功启动交付，标志着AI计算领域的一大飞跃。这款先进内存正陆续送达主要行业合作伙伴手中，以全面融入并验证其在整个AI生态系统中的效能。
SK海力士9月底将量产12层HBM3E高性能内存
HBM市场全球最高市占率的地位，也标志着HBM3E技术再次引领行业潮流，特别是在满足日益增长的人工智能服务器对高性能内存需求的背景下。
TrendForce:三星HBM3E内存通过英伟达验证,8Hi版本正式出货
9月4日最新资讯，据TrendForce集邦咨询的最新报告透露，三星电子已成功完成其HBM3E内存产品的验证流程，并正式启动了HBM3E 8Hi（即24GB容量版本）的出货，该产品主要面向英伟达H200系列应用。同时，三星电子还
DDR5内存面临涨价潮，存储巨头转向HBM生产
近日，存储芯片市场传来重大消息，SK海力士正式通知市场，其DDR5内存产品将涨价15%至20%，这一举动无疑给市场投下了一枚震撼弹。此次涨价的根源在于，SK海力士、美光、三星等存储芯片巨头纷纷调整
SK海力士DDR5芯片价格或将大幅上涨
近日，据外媒报道，SK海力士已宣布将其DDR5 DRAM芯片价格上调15%至20%，这一举动在业界引起了广泛关注。供应链内部人士透露，此次涨价的主要原因在于HBM3/3E产能的大幅扩张
工商网监
评论