美光加入16-Hi HBM3E内存竞争
近日，全球DRAM内存巨头之一的美光科技公司宣布，将正式进军16-Hi(即16层堆叠)HBM3E内存市场。目前，美光正在对最终设备进行评估，并计划在今年内实现量产。
这一消息标志着美光在高性能内存领域迈出了重要一步。16-Hi HBM3E内存以其高带宽、低功耗的特性，在数据中心、人工智能、机器学习等领域具有广泛的应用前景。随着技术的不断进步，市场对高性能内存的需求日益增加，美光的加入无疑将加剧市场竞争，推动整个行业的进步。
据了解，美光此次推出的16-Hi HBM3E内存采用了先进的堆叠技术，能够在同样的基板面积上实现更高的存储密度。这不仅提升了内存的传输效率，还降低了生产成本，使得产品更具竞争力。
美光的目标是将其在HBM细分市场的占有率从低个位数提升至与整体DRAM领域相当的20%。为此，美光正在全球范围内积极扩张产能，并加强与行业领先技术公司的合作，共同开发能够快速处理海量数据的新一代应用。
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