电气化正在推动SiC半导体的增长,由于其具备快速开关能力、更低的功率损耗和更高的温度性能,电动汽车、可持续发展和工业等大型细分市场都转向SiC电源解决方案。为了帮助电源设计工程师轻松、快速和放心地过渡到SiC电源解决方案,Microchip Technology Inc.(美国微芯科技公司)宣布推出MPLAB SiC电源模拟器,可在将设计实现为硬件之前,快速评估各种拓扑结构中的Microchip SiC电源器件和模块。
Microchip的MPLAB SiC电源模拟器是与Plexim合作设计的基于PLECS的软件环境,提供在线免费工具,无需购买模拟许可证。MPLAB SiC电源模拟器加速了各种基于SiC的电源拓扑结构的设计过程。客户可以放心地在设计阶段对SiC解决方案进行基准测试和评估。
Microchip碳化硅业务部副总裁Clayton Pillion表示:“追求SiC技术的客户现在可以使用基于网络的MPLAB SiC电源模拟器,对设计进行基准测试并选择最适合的Microchip SiC产品。凭借在碳化硅领域二十多年的深耕,Microchip可为客户提供多种多样的SiC电源解决方案,还可以很方便地使用其他Microchip配套器件进行设计。”
新工具通过提供全面的SiC评估,不仅可以提供有价值的基准数据,还可以减少元件选择时间,从而加快产品上市速度。如果一位电源电子设计师要在25 mΩ和40 mΩ SiC MOSFET之间选择三相有源前端转换器,就可以立即得到模拟结果,如器件的平均功率耗散和峰值结温。
MPLAB SiC电源模拟器是OEM厂商为电动出行、可持续发展和工业应用设计电源系统的重要设计工具,相关应用包括电动汽车、板上/板下充电、电源和电池储能系统。
Microchip的SiC产品组合包括具有最低寄生电感(<2.9 nH)的行业领先的电源模块,以及具有最高额定电流的行业领先的3.3 kV分立式MOSFET和二极管。组合内其他产品还包括700V、1200V和1700V的裸片、分立器件和模块,以及AgileSwitch可配置数字栅极驱动器。
这些SiC器件具有耐用性和优异性能,可提供预计超过100年的栅极氧化物寿命和无退化体二极管。在大功率应用中,SiC技术比硅绝缘栅双极晶体管(IGBT)具有更高的系统效率、功率密度和温度稳定性。
原文转自Microchip微芯
-
电源
+关注
关注
185文章
18456浏览量
257716 -
SiC
+关注
关注
32文章
3271浏览量
66011 -
模拟器
+关注
关注
2文章
948浏览量
44777
发布评论请先 登录
深爱半导体 代理 SIC213XBER / SIC214XBER 高性能单相IPM模块
Microchip与台达电子签署碳化硅解决方案合作协议,共创电源管理未来

瞻芯电子第3代1200V 35mΩ SiC MOSFET量产交付应用

SiC碳化硅MOSFET时代的驱动供电解决方案:基本BTP1521P电源芯片

SiC MOSFET 开关模块RC缓冲吸收电路的参数优化设计
倾佳电子提供SiC碳化硅MOSFET正负压驱动供电与米勒钳位解决方案

SiC碳化硅MOSFET模块革掉IGBT模块来颠覆电镀电源和高频电源行业

麦科信光隔离探头在碳化硅(SiC)MOSFET动态测试中的应用
瞻芯电子推出2000V SiC 4相升压功率模块

Microchip推出MPLAB AI编码助手
电网模拟器工作原理浅析
如何使用光伏模拟器

评论