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第二代低功耗MCU—RJM8L151S系列

武汉瑞纳捷半导体有限公司 ? 2022-03-29 16:48 ? 次阅读
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2022年3月瑞纳捷半导体发布了第二代低功耗MCU—RJM8L151S系列,该系列是第一代RJM8L151系列的全面升级,不仅修改了RJM8L151系列的已知问题,还提升了综合性能和易用性,芯片的抗干扰性能和低功耗性能也有了较大提升。

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  • 低功耗串口LPUART

RJM8L151S系列增加了1路LPUART(低功耗串口),该串口配备32位的波特率设置寄存器,既可以选择16MHz高速时钟也可以选择32KHz低速时钟。选择32KHz低速时钟时最高波特率为9600,可用于休眠模式的唤醒—需要接收1个完整的任意字节。

RJM8L151S系列增加了1个LPTimer(低功耗定时器),LPTimer由内部或外部32KHz低速时钟提供计数时钟。支持向上计数模式(从0计数到装载值)、事件计数模式(上升沿/下降沿/双沿)和定时唤醒功能。LPTimer为需要定时唤醒的低功耗模式提供了可行方案。

  • 支持两线制烧录

上一代的RJM8L151系列采用4线JTAG(TDO,TDI,TCK,TMS)烧录程序代码,不仅占用了IO资源还增加了电路布线的困难。RJM8L151S系列改用两线的RJSWD接口,仅需要RJ-SDA数据和RJ-SCK时钟两个信号线即可烧录代码。

RJM8L151S系列的看门狗WDT同样支持溢出复位和中断功能,为提高其可靠性,RJM8L151S系列增加了WDT寄存器锁定功能,必须先解锁才能操作WDT寄存器,避免系统运行异常误修改WDT寄存器引起无法复位的问题。

  • 电源检测PVD支持中断功能

RJM8L151S系列的电源管理模块支持PDR和BOR复位,可编程电压检测单元PVD在1.8V~3.0V之间具有7个可选档位。还增加了PVD中断功能,可在系统掉电前及时处理事件和数据保存。

  • 软件复位功能

RJM8L151系列的软件复位功能需要配置模块软复位和CPU复位两个寄存器才能实现系统复位,RJM8L151S简化了软件复位操作,只需要配置软件复位寄存器即可实现系统复位。

  • 片内2.4V参考电压

RJM8L151S系列的ADC模块增加了事件触发采样和定时触发采样功能,事件触发采样支持上升沿/下降沿/任意沿触发。还增加了2.4V的片内参考电压源VREF,VREF也可以输出到外部引脚为外围电路提供精准的参考源。

  • 更低的待机功耗

RJM8L151S系列实测的Halt模式功耗低至0.6uA,低速时钟下的Active-Halt模式功耗低至0.85uA。

  • 其它优化和系统框图

不仅如此,RJM8L151S系列在ESD和EFT电气性能方面也有较大提升,GPIO的驱动电流提升到最大6mA。优化后的高级定时器Timer3的时钟可以是系统时钟的1到65535分频,大大提高了PWM的输出精度,可支持0%到100%占空比输出。RJM8L151S还优化了内置比较器的捕获输入方式来更好的支持电机控制算法。优化后的RTC模块能够提供更精确的日历时间。Flash多级代码保护功能更加可靠。

下图是RJM8L151S系列的内部框图。

pYYBAGJCxjaABmPlAAKMxmFxFtA549.png

  • 供货情况

如下表所示,RJM8L151S系列提供了3种封装共6个型号的产品。全系列产品将于2022年下半年批量供货,目前可提供测试样品。RJM8L151S系列同样适用于电池供电的电子价签、报警器、GPS定位器、智能开关、智能门锁等物联网产品。

型号

Flash

RAM

封装

RJM8L151SC8T6

64KB

8KB

LQFP48(7×7mm)

RJM8L151SC6T6

32KB

4KB

LQFP48(7×7mm)

RJM8L151SK8Q6

64KB

8KB

QFN32(4×4mm)

RJM8L151SK6Q6

32KB

4KB

QFN32(4×4mm)

RJM8L151SF6P6

32KB

4KB

TSSOP20L(6.5×4.4mm)

RJM8L151SF4P6

16KB

2KB

TSSOP20L(6.5×4.4mm)

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