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      新品 | 第二代 CoolSiC? 34mΩ 1200V SiC MOSFET D?PAK-7L封装

      英飞凌工业半导体 ? 2024-11-29 01:03 ? 次阅读
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      新品

      第二代CoolSiC 34mΩ 1200V

      SiC MOSFET D?PAK-7L封装

      a1b6d326-adaa-11ef-8084-92fbcf53809c.png

      采用D?PAK-7L(TO-263-7)封装的第二代 CoolSiC G2 1200V MOSFET系列以第一代技术的优势为基础，加快了系统设计的成本优化，实现高效率、紧凑设计和可靠性。

      第二代产品在硬开关工况和软开关拓扑的关键性能指标上都有显著改进，适用于所有常见的交流-直流、直流-直流和直流-交流各种功率变换。

      产品型号：

      ■IMBG120R034M2H

      产品特点

      开关损耗极低

      过载运行温度最高可达Tvj=200°C

      短路耐受时间2?s

      基准栅极阈值电压，VGS(th)=4.2V

      抗寄生开通能力强，可用0V栅极关断电压

      用于硬换流的坚固体二极管

      .XT互联技术可实现同类最佳的散热性能

      应用价值

      更高的能源效率

      优化散热

      更高的功率密度

      新的稳健性性能

      高可靠性

      竞争优势

      最低RDS(on），最高输出能力

      市场上最精细的产品系列

      过载运行温度最高可达Tvj=200°C

      强大的短路额定值

      雪崩稳健性

      应用领域

      电动汽车充电

      组串逆变器

      光伏优化器

      在线式UPS/工业UPS

      通用变频器（GPD）

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