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      新品 | 1200V低阻值CoolSiC? MOSFET产品

      英飞凌工业半导体 ? 2022-04-20 09:56 ? 次阅读
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      新品

      CoolSiC 1200V SiC

      MOSFET低欧姆产品

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      CoolSiC 1200V SiC MOSFET低欧姆产品，采用TO247封装，建立在最先进的沟槽栅半导体工艺上。经过优化，性能和可靠性均有进一步提高。封装采用 .XT互连技术，最新的CoolSiC MOSFET具有一流的热耗散性能。

      产品规格：1200V,7mΩ、14mΩ和20 mΩ TO247封装

      fe1aece6-c005-11ec-82f6-dac502259ad0.gif

      CoolSiC 1200V SiC MOSFET低欧姆产品（7mΩ、14mΩ和20mΩ），采用TO247-3/TO247-4封装，建立在最先进的沟槽栅半导体工艺上。经过优化，性能和可靠性均有进一步提高。封装采用.XT互连技术，最新的CoolSiC MOSFET具有一流的热耗散性能。

      CoolSiC MOSFET是硬开关和谐振开关拓扑结构的理想选择，如功率因素校正（PFC）电路、双向拓扑结构和DC-DC转换器或DC-AC逆变器。

      产品特点

      TO247封装中最大规格，最低的RDS(ON) 7mΩ

      .XT互连技术实现了同类最佳的热性能

      最大栅极源极电压低至-10V

      灵活的关断栅极电压选择-5V~0V

      雪崩能力

      短路能力

      应用价值

      单个器件的功率密度高

      7mΩ单个器件的系统输出功率可做到30千瓦

      散热能力提高15%

      宽关断栅极电压选择，易于设计和应用

      增强稳健性和可靠性

      市场优势

      经过验证并增强了封装的坚固性，具有很高的可靠性

      完整的内部生产前端和后端，确保供应安全性

      最新的开关和栅极驱动器技术实现了最佳性能

      易于设计，加快了上市时间

      应用领域

      电动车快速充电

      太阳能系统

      储能系统

      工业驱动

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