APEX微技术发布碳化硅SiC半桥集成电源模块：SA111
SA111
SA111采用碳化硅（SiC）技术和领先的封装设计，突破了模拟模块的热效率和功率密度的上限。
SA111采用表面安装式封装，主体大小仅20mm x 20mm，提供32A持续输出电流，最高支持650V供电电压，开关频率最高可达1MHz。这款热效率高的封装采用顶端散热方式，让用户能充分利用主板布局。
SA111的碳化硅MOSFET使得器件能经受更高的热应力，最高能承受175°C的结温。
SA111 SiC功率模块提供完全集成的解决方案，配备集成的栅极驱动、欠压锁定和有源米勒钳位，能提高器件控制力和保护能力。
业务拓展总监Jens Eltze表示：
“ SA111再次体现了Apex Microtechnology在非常小巧的占板面积内提供领先的大功率解决方案的能力。
Apex荣获专利的PQ封装满足了市场对于采用顶部冷却的表面安装式器件的需求。 ”
有了表面安装式封装类型和非常小巧的体积，设计师们就能充分利用板面积，可以使用多个器件来设计对功率要求高的电路。
各种目标应用场景包括MRI梯度线圈驱动、磁轴承、电动机、测试设备、服务器风扇、功率因数补偿（PFC）、交流/直流转换器和直流/直流转换器。
审核编辑：刘清
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
MOSFET
+关注
关注
150文章
8903浏览量
223177 -
电源模块
+关注
关注
33文章
1969浏览量
94899 -
SiC
+关注
关注
32文章
3312浏览量
66382 -
碳化硅
+关注
关注
25文章
3149浏览量
50999
原文标题：APEX微技术发布碳化硅（SiC）半桥集成电源模块：SA111
文章出处：【微信号：APEX微技术，微信公众号：APEX微技术】欢迎添加关注！文章转载请注明出处。
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
基本半导体推出34mm封装的全碳化硅MOSFET半桥模块
基本半导体推出34mm封装的全碳化硅MOSFET半桥模块，该系列产品采用第三代碳化硅MOSFET芯片技术
EAB450M12XM3全碳化硅半桥功率模块CREE
EAB450M12XM3全碳化硅半桥功率模块CREEEAB450M12XM3是Wolfspeed（原CREE科锐）生产的1200V、450A全碳化硅
发表于 06-25 09:13
基本股份SiC功率模块的两电平全碳化硅混合逆变器解决方案
倾佳电子（Changer Tech）-专业汽车连接器及功率半导体(SiC碳化硅MOSFET单管，SiC碳化硅MOSFET模块，
碳化硅MOSFET全桥模块在出口型高端逆变焊机中的应用技术优势
倾佳电子(Changer Tech)-专业汽车连接器及功率半导体(SiC碳化硅MOSFET单管，SiC碳化硅MOSFET模块，
基于SiC碳化硅功率模块的高效、高可靠PCS解决方案
亚非拉市场工商业储能破局之道：基于SiC碳化硅功率模块的高效、高可靠PCS解决方案 —— 为高温、电网不稳环境量身定制的技术革新 倾佳电子杨茜致力于推动国产
国产SiC碳化硅功率模块全面取代进口IGBT模块的必然性
碳化硅MOSFET模块，碳化硅SiC-MOSFET驱动芯片，SiC功率模块驱动板，驱动IC)分销
国产SiC碳化硅MOSFET在有源滤波器（APF）中的革新应用
倾佳电子(Changer Tech)-专业汽车连接器及功率半导体(SiC碳化硅MOSFET单管，SiC碳化硅MOSFET模块，
基本半导体碳化硅（SiC）MOSFET低关断损耗（Eoff）特性的应用优势
MOSFET单管，SiC碳化硅MOSFET模块，碳化硅SiC-MOSFET驱动芯片，SiC功率
基于国产碳化硅SiC MOSFET的高效热泵与商用空调系统解决方案
茜 微信&手机：13266663313 倾佳电子（Changer Tech）-专业汽车连接器及功率半导体(SiC碳化硅MOSFET单管，SiC碳化硅
CAB450M12XM3工业级SiC半桥功率模块CREE
CAB450M12XM3工业级SiC半桥功率模块CREE
CAB450M12XM3是Wolfspeed（原CREE）精心打造的一款工业级全碳化硅
发表于 03-17 09:59
桥式电路中碳化硅MOSFET替换超结MOSFET技术注意事项
在桥式电路中，国产碳化硅（SiC）MOSFET（如BASiC基本股份）替换超结（SJ）MOSFET具有显著优势，但也需注意技术细节。倾佳电子杨茜从性能优势和
高频感应电源国产SiC碳化硅模块替代英飞凌IGBT模块损耗计算对比
倾佳电子杨茜以50KW高频感应电源应用为例，分析BASiC基本股份国产SiC模块替代英飞凌IGBT模块损耗计算对比: 倾佳电子杨茜致力于推动国产Si
高频电镀电源国产SiC碳化硅模块替代富士IGBT模块损耗对比
倾佳电子杨茜以50KW高频电镀电源应用为例，分析BASiC基本股份国产SiC碳化硅模块替代富士IGBT模块损耗对比： 倾佳电子杨茜致力于推动
什么是MOSFET栅极氧化层？如何测试SiC碳化硅MOSFET的栅氧可靠性？
随着电力电子技术的不断进步，碳化硅MOSFET因其高效的开关特性和低导通损耗而备受青睐，成为高功率、高频应用中的首选。作为碳化硅MOSFET器件的重要组成部分，栅极氧化层对器件的整体性能和使用寿命
发表于 01-04 12:37
工商网监
评论