纳微半导体GaNSense半桥芯片达到更高层级的效率和节能水平

下一代氮化镓带来MHz级性能，减少超过60%元件数量及电路尺寸

2022年9月7日——加利福尼亚州埃尔塞贡多讯，唯一全面专注的下一代功率半导体公司及氮化镓功率芯片行业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS），今日发布了半导体行业首个GaNSense半桥氮化镓功率芯片。相比于现有的分立式方案，半桥功率芯片可实现MHz级的开关频率，将有效降低系统损耗和复杂度。

GaNSense半桥氮化镓功率芯片集成了两个GaN FETs 和驱动器，以及控制、电平转换、传感和保护功能，为电子元件创建了一个易于使用的系统构建块。相较分立式方案，革命性的单片集成方案能有效减少60%的元件数量及布局结构，进而减少系统成本、尺寸、重量与复杂性。

集成的GaNSense技术实现了前所未有的自动保护，提升了系统可靠性和稳定性，并结合了无损电流感测，达到更高层级的效率和节能水平。

高度的集成解决了电路寄生和延迟问题，使得广泛的AC-DC电源拓扑包括LLC谐振、非对称半桥（AHB）、有源钳位反激（ACF）在MHz频率下的运行成为了可能。GaNSense半桥氮化镓功率芯片同时还完美适配图腾柱PFC以及其他电机驱动的应用。

GaNSense半桥芯片预计会对纳微半导体所有的目标市场产生重大影响，如手机移动快充、消费电子电源、数据中心电源供应、太阳能逆变器、能源储存以及电动汽车应用。

“在70年代末80年代初，双极晶体管被硅MOSFET取代。而纳微半导体氮化镓技术的问世，代表了第二次电源革命——开关频率和效率极大提高，系统尺寸和成本大幅锐减。我们早期的GaNFast氮化镓功率芯片已经实现了从50-60kHz到200-500kHz的跨越，如今，GaNSense半桥芯片更是将这些优势带到了MHz的级别。氮化镓的革命仍在持续！”

——纳微半导体首席执行官兼联合创始人

Gene Sheridan

初代GaNSense半桥氮化镓功率芯片系列产品，包括了NV6247（2×160mΩ），额定电压为650V，以及NV6245C（2×275mΩ），二者均采用工业标准、薄型、低电感的6 x 8mm PQFN封装。

其中，NV6247将立刻进入量产，交付周期为16周；NV6245C目前将对部分客户发送样品，预计将在2022年的第四季度面向所有客户进行量产。接下来的几个季度，我们将陆续推出采用更多封装方式和更广功率级别的GaNSense半桥氮化镓功率芯片。更多细节，欢迎您参考纳微半导体的AN018应用手册。