NP30P03D6 30V p通道增强模式MOSFET
描述
NP30P03D6采用先进的沟槽技术
提供优良的RDS(ON)，本设备适合使用
作为负载开关或PWM应用。
一般特征
?VDS = -30v, id = -30a
RDS(上)(Typ) = 8 mΩ@VGS = -10 v
RDS(上)(Typ) = 12.5Ω@VGS = -4.5 v
?高功率和电流处理能力
?获得无铅产品
?表面安装包
?150℃的工作温度
?100% ui测试
应用程序
?PWM程序
?负荷开关
?不间断电源
包
?PDFN5 * 6-8L-A
订购信息
绝对最大额定值(除非另有说明，TA=25℃)
电特性(除非另有说明，TA=25℃)
热特性
答:R qJA是用设备安装在1in 2 FR-4单板上2oz测量的。铜，在静止的空气环境中
T = 25°C。在任何给定的应用程序中的值取决于用户的特定板设计。
B: R qJA是从结到引线R qJL和引线到环境的热阻抗之和。
审核编辑 黄昊宇
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