NP2305HR 20V p通道增强模式MOSFET
描述
NP2305HR使用先进的战壕
技术提供优良的RDS(ON)，低栅
在极低电压的情况下进行充电和操作
1.8 v。该装置适用于负载开关
或在PWM应用中。
一般特征
?VDS = -20v, id = -4.2a
RDS(上)(Typ) = 40米Ω@VGS = -4.5 v
RDS(上)(Typ) = 52.6Ω@VGS = -2.5 v
?高功率和电流处理能力
?获得无铅产品
?表面安装包
应用程序
?PWM程序
?负荷开关
包
?ESOT-23-3L
订购信息
绝对最大额定值(除非另有说明，TA=25℃)
电特性(除非另有说明，TA=25℃)
注:
a.表面安装在FR4板上，t≤10秒
B.脉冲测试:脉宽≤300μs，占空比≤2%
C.设计保证，不经生产检验
热特性
审核编辑 黄昊宇
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