NP8P016MR 16V p通道增强模式MOSFET
描述
NP8P016MR采用先进壕沟
技术提供优良的RDS(ON)，低栅
充电和工作的栅极电压低至1.8V。
本装置适用于作为负载开关或中压开关
脉宽调制的应用程序。
一般特征
?VDS = -16v, id = -8a
RDS(上)(Typ) = 15米Ω@VGS = -4.5 v
RDS(上)(Typ) = 19 mΩ@VGS = -2.5 v
?高功率和电流处理能力
?获得无铅产品
?表面安装包
应用程序
?PWM程序
?负荷开关
包
?SOT-23-3L
订购信息
绝对最大额定值(除非另有说明，TA=25℃)
电特性(除非另有说明，TA=25℃)
热特性
A.将设备安装在1in2上测量RθJA的值
FR-4板与2oz。铜，在静止的空气环境中与
TA = 25°C。在任何给定的应用程序中的值取决于用户的特定板设计。
B.功率损耗PD是基于TJ(MAX)=150℃，采用≤10s的结环境热阻。
C.重复额定值，脉宽受结温TJ(MAX)=150°C限制。额定值是基于低频率和职责
审核编辑 黄昊宇
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