纳微半导体发布第三代氮化镓平台NV6169功率芯片

美国加利福尼亚州埃尔塞贡多，2022 年 5 月10日：氮化镓 （GaN） 功率芯片行业领导者纳微半导体（纳斯达克代码：NVTS）正式发布 NV6169，这是一款采用 GaNSense?技术的650/800 V 大功率GaNFast?芯片，可满足高功率应用，例如 400-1000 W 4K/8K 电视和显示器、下一代游戏电竞系统、500 W 太阳能微型逆变器、1.2 kW 数据中心 SMPS 和4 kW电机驱动。

氮化镓是下一代功率半导体技术，运行速度比传统硅快20倍，和传统硅充电器相比，氮化镓充电器在一半的尺寸和重量下，能实现3倍功率或3倍的充电速度。纳微半导体下一代GaNSense技术集成了对系统参数的实时、准确和快速感应，包括电流和温度的感知，实现自主保护，和无损耗电流感应能力，实现了轻便小巧，快速，更高的功率。

45m?的NV6169 采用行业标准的、轻薄、低电感、8 x 8 mm PQFN 封装，导通电阻降低 36%，功率提高 50%，用于高效率、高密度的电力系统。

纳微半导体首席运营官，首席技术官兼联合创始人 Dan Kinzer 指出：“超过五千万颗纳微氮化镓功率芯片已交付给包括三星、戴尔、联想和小米在内的各级客户，与 GaN 相关的终端市场故障报告为零，GaNSense 技术能够实时、准确地检测电压、电流和温度，从而进一步提高整体系统性能。未受保护的‘分立’式氮化镓或硅功率芯片无法与纳微半导体的性能和可靠性相媲美，通过提供 NV6169，我们将业务范围扩展到数据中心、太阳能和电动汽车等高功率应用，同时凭借前所未有的20 年有限质保承诺，以加速氮化镓在性能要求更高的系统中的采用”。

NV6169 是最先进的纳微第三代氮化镓平台中额定功率最高的功率芯片。采用 GaNSense 技术的 GaNFast 功率芯片具有行业首创，无损电流感应和最快的短路保护，实现“检测到保护”的速度仅为 30ns，比分立解决方案快 6 倍。在电机驱动应用中，与IGBT 相比，氮化镓功率芯片可节省高达 40% 的能源，消除 30 个外部组件，并将系统效率提高 8%。

与竞争解决方案不同，NV6169 额定工作电压为 650V，额定峰值额定电压为 800V，可在瞬态事件期间稳定工作。作为真正的集成功率芯片，GaN 栅极受到全面保护，整个器件的额定静电放电 （ESD） 规格为业界领先的 2 kV。

NV6169 可在签订 NDA后立即提供给客户，批量生产的交货时间目前为 6 至 16 周。设计人员可以使用仿真模型 （PSPICE/LTSPICE/SiMetrix）、3D 封装模型 （STP） 和应用说明 （AN-0016） 来优化下一代系统。