Intel正实现从14nm向10nm的过渡
Intel正在各个领域实现从14nm向10nm的过渡：轻薄本上代还是14/10nm混合，现在已经完全是10nm；游戏本、服务器马上就都会首次尝鲜10nm；桌面则要等到明年底的12代最终实现交接。
游戏本上的下一代就是Tiger Lake-H，和轻薄本的Tiger Lake-U一样划归到11代酷睿序列，预计最快明年一季度内发布，最迟4月份。
现在，我们在华硕新款TUF Gaming ZenBook游戏本中看到了Tiger Lake-H家族中的“i7-11370H”，没有给出具体规格，不过之前GeekBench 5数据库中就曾发现它，检测为4核心8线程，基准频率3.3GHz，最高加速4.8GHz，集成5MB二级缓存、12MB三级缓存。
猜测它的热设计功耗为35W。
不过，i7-11370H这个命名确实不合常理：i7 H系列编号一直都是8xx、7xx序列，比如i7-10875H、i7-10750H，而传统上3xx序列序列都是属于i3，比如i3-10300H。
根据此前消息，Tiger Lake-H系列会拥有10nm工艺、Willow Cove CPU架构、Xe GPU架构，原生支持PCIe 4.0、雷电4、Wi-Fi 6，分为35W、45W两种版本，前者最多4核心8线程、32单元，后者最多8核心16线程、96单元。
隔壁的锐龙5000H系列也是风雨欲来，下个月就有望登场，基于全新的Zen3架构，而且顶级型号锐龙9 5900HX会首次开放超频。
责任编辑:pj
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
intel
+关注
关注
19文章
3497浏览量
188706 -
服务器
+关注
关注
13文章
9826浏览量
88220 -
数据库
+关注
关注
7文章
3939浏览量
66542
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
从14nm到3nm：AI ASIC算力、能效双突破
电子发烧友网报道（文/李弯弯）2025年，全球AI芯片市场正迎来一场结构性变革。在英伟达GPU占据主导地位的大格局下，ASIC（专用集成电路）凭借针对AI任务的定制化设计，成为推动算力革命的新动力
Intel-Altera FPGA：通信行业的加速引擎，开启高速互联新时代
、机器人等高增长领域。性能突破：如Agilex系列集成PCIe Gen5、CXL技术，提供高带宽、低延迟的互联能力。能效优化：通过先进制程（如10nm SuperFin）和架构创新，降低功耗并提升集成度
发表于 04-25 10:19
广明源172nm晶圆光清洗方案概述
在半导体制造中，清洗工艺贯穿于光刻、刻蚀、沉积等关键流程，并在单晶硅片制备阶段发挥着重要作用。随着技术的发展，芯片制程已推进至28nm、14nm乃至更先进节点。
三星在4nm逻辑芯片上实现40%以上的测试良率
较为激进的技术路线，以挽回局面。
4 月 18 日消息，据韩媒《ChosunBiz》当地时间 16 日报道，三星电子在其 4nm 制程 HBM4 内存逻辑芯片的初步测试生产中取得了40% 的良率，这高于
发表于 04-18 10:52
超窄带低波数拉曼滤光片的新升级（from 350nm to 3000nm）
超窄带陷波滤光片（Bragg Notch Filter，简称BNF）和带通滤光片（Bragg Bandpass Filter,简称BPF）是目前实现超低波数拉曼光谱(通常50cm-1以下才称为超低波数拉曼)测量常用的方法。设计波长覆盖350-3000nm波段，超低波数拉曼
突破14nm工艺壁垒：天准科技发布TB2000晶圆缺陷检测装备
TB2000已正式通过厂内验证，将于SEMICON 2025展会天准展台（T0-117）现场正式发布。 这标志着公司半导体检测装备已具备14nm及以下先进制程的规模化量产检测能力。这是继TB1500突破40nm节点后，天准在高端检测装备国产化进程中的又一里程碑。 核心技术
DLP9500UV在355nm纳秒激光器应用的损伤阈值是多少？
DLP9500UV在355nm纳秒激光器应用的损伤阈值是多少，480mW/cm?能否使用，有没有在355nm下的客户应用案例？
这个是激光器的参数：355nm，脉宽5ns，单脉冲能量60uJ，照射面积0.37cm^2，
发表于 02-20 08:42
台积电加大亚利桑那州厂投资，筹备量产3nm/2nm芯片
据最新消息，台积电正计划加大对美国亚利桑那州工厂的投资力度，旨在推广“美国制造”理念并扩展其生产计划。据悉，此次投资将着重于扩大生产线规模，为未来的3nm和2nm等先进工艺做准备。
消息称台积电3nm、5nm和CoWoS工艺涨价，即日起效！
）计划从2025年1月起对3nm、5nm先进制程和CoWoS封装工艺进行价格调整。 先进制程2025年喊涨，最高涨幅20% 其中，对3nm、5nm等先进制程技术订单涨价，涨幅在3%到8
苹果iPhone 17或沿用3nm技术，2nm得等到2026年了！
有消息称iPhone17还是继续沿用3nm技术，而此前热议的2nm工艺得等到2026年了……
台积电产能爆棚：3nm与5nm工艺供不应求
台积电近期成为了高性能芯片代工领域的明星企业，其产能被各大科技巨头疯抢。据最新消息，台积电的3nm和5nm工艺产能利用率均达到了极高水平，其中3nm将达到100%，而5nm更是突破了1
北京君正预计年底推出21nm DRAM产品
近日，在接受机构调研时，北京君正透露了其DRAM产品的研发进展。据公司介绍，目前各类DRAM产品，包括DDR2、DDR3、LPDDR4等，均有新品在研发中。在工艺方面，北京君正正在积极推进21nm
联发科携手台积电、新思科技迈向2nm芯片时代
近日，联发科在AI相关领域的持续发力引起了业界的广泛关注。据悉，联发科正采用新思科技以AI驱动的电子设计自动化（EDA）流程，用于2nm制程上的先进芯片设计，这一举措标志着联发科正朝着2nm
所谓的7nm芯片上没有一个图形是7nm的
最近网上因为光刻机的事情，网上又是一阵热闹。好多人又开始讨论起28nm/7nm的事情了有意无意之间，我也看了不少网上关于国产自主7nm工艺的文章。不过这些文章里更多是抒情和遐想，却很少有人针对技术
三星电子计划在2026年推出最后一代10nm级工艺1d nm
三星电子在最新的内存产品路线图中透露了未来几年的技术布局。据透露，三星计划在2024年率先推出基于1c nm制程的DDR内存，该制程将支持高达32Gb的颗粒容量，标志着内存性能与密度的双重飞跃。
工商网监
评论