zpwsmileTrikon CVD集群工具提供低至0.10微米的低k电介质路线图

Planar fxP采用Trikon专利的Flowfill和Low k Flowfill技术，用于标准和低k金属间电介质（IMD），使逻辑和DRAM制造商能够轻松迁移到更高级的设计规则和更高速的器件，而无需更换硬件，该公司表示。

Low k Flowfill为芯片制造商提供了一种减色铝，“低k率”方法，0.18微米，介电常数为2.8，超出了半导体行业协会的技术路线图要求。 Trikon表示，当用于镶嵌技术时，Low k Flowfill将提供具有2.5的介电常数的弹性超低k薄膜，可以与其他加工步骤集成。据该公司称，该技术甚至被证明为k = 2.2。

由于Low k Flowfill提供的间隙填充低于0.1微米，DRAM制造商可以在接下来的三个采用相同的低k解决方案切换到damascene技术之前的四个设计节点。

Trikon的标准Low k Flowfill提供高度可靠的间隙填充和自平面化，使其成为氧化物IMD的理想选择，该公司表示。它还为0.13微米及以下的DRAM提供了一种替代的，基于非等离子的先进金属前介电（PMD）解决方案，具有低热预算。

“Planar fxP的多功能性和灵活性使其成为可能目前，成本最低，风险最低的生产选择使芯片制造商能够调整他们的晶圆厂和运营，使他们能够在不断变化的市场条件下领先一步，“Trikon市场营销副总裁Bernard Culverhouse说。

Planar fxP为Trikon经过生产验证的CVD工艺硬件增加了额外的功能和生产力。新的晶圆传输模块使用快速动作机器人处理器提供更高的吞吐量密度，具有双末端执行器，可提供三个运动轴。两个真空盒式负载锁为工厂提供接口，可轻松与SMIF或其他自动化系统集成。

晶圆定位站和冷却模块集成在传输模块中，提供全面的过程控制和与标准塑料盒的兼容性。传输模块周围的六个过程模块位置允许指定工具配置，以便最大化吞吐量。

“晶圆使工具完成并准备好进入下一个主要工艺步骤，大大减少了工作 - Trikon的CVD产品营销经理Andy Noakes表示，整个工厂的进展和工作流程更加顺畅。

由于Trikon的低k薄膜易于集成，因此对后处理步骤的影响微乎其微。设备。这进一步降低了成本实施并缩短了制造商产品的上市时间。“

Trikon通过实施新的等离子清洁技术，最大限度地减少了PFC排放，从而最大限度地减少了这种新工具对环境的影响。超过85％，并最大化室内清洁之间的正常运行时间和处理过的晶圆吞吐量。