【2022年5月10日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）发布了一项全新的CoolSiC?技术，即CoolSiC? MOSFET 1200 V
2022-05-10 14:10:02
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导通电阻（RDSON）指的是在规定的测试条件下，使MOSFET处于完全导通状态时（工作在线性区），漏极（D）与源极（S）之间的直流电阻，反映了MOSFET在导通状态下对电流通过的阻碍程度。
2025-05-26 15:09:34851 
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出具备低导通电阻的AUIRFR4292和AUIRFS6535车用功率MOSFET，适用于汽油和柴油发动机压电喷射系统。
2012-08-15 11:25:081643 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出业界首款采用3.3mm x 3.3mm封装以实现在4.5V栅极驱动下4.8mΩ最大导通电阻的20V P沟道MOSFET---Si7655DN。
2012-11-28 21:17:401708 全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 （International Rectifier，简称IR） 近日推出具有超低导通电阻 （RDS（on）） 的 StrongIRFET功率MOSFET系列，适合各种工业应用，包括电
2012-12-04 22:17:341512 IR近日推出配备IR最新功率MOSFET的300V器件系列，可为各种高效工业应用提供基准导通电阻 （Rds（on）） ，全新功率MOSFET系列具有极低的导通电阻，有助于提升系统效率，还可让设计人员在多个MOSFET并联使用时减少产品的组件数量。
2013-01-22 13:27:211482 Vishay宣布推出新款60 V TrenchFET?第四代n沟道功率MOSFET---SiSS22DN，业内首款适用于标准栅极驱动电路的器件，10 V条件下最大导通电阻降至4 m?，采用热增强型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-8S封装。
2019-10-05 07:04:006089 ? 1、超级结构 高压功率MOSFET管早期主要为平面型结构，采用厚低掺杂的N-外延层epi，保证器件具有足够击穿电压，低掺杂N-外延层epi尺寸越厚，耐压额定值越大，但是，导通电阻随电压以
2023-10-07 09:57:367894 
靠性。在碳化硅材料中，垂直界面的缺陷密度明显低于横向界面。这就为性能和鲁棒性特征与可靠性的匹配提供了新的优化潜力。 安富利合作伙伴英飞凌推出的CoolSiC MOSFET G2沟槽技术继承了G1的高可靠性。 基于所有已售出的CoolSiC MOSFET G1、分立器件和工
2024-05-16 09:54:311022 
瑞萨电子日前发售了八款封装尺寸仅为2mm×2mm的功率MOSFET。其中两款产品“在封装尺寸为2mm见方的产品中，实现了业界最高水平的低导通电阻”。
2012-04-13 09:19:341587 日前发布的MOSFET导通电阻比市场上排名第二的产品低43%，降低压降并减小传导损耗，从而实现更高功率密度。
2020-08-17 11:53:141069 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）推出非常适用于FA和机器人等工业设备以及空调等消费电子产品的共计24款Pch MOSFET*1/*2产品，其中包括支持24V输入电压的－40V
2020-12-26 10:31:422332 该功率MOSFET采用碳化硅（SiC）这种新材料，与常规的硅（Si）MOSFET、IGBT产品相比，具有高耐压、高速开关和低导通电阻特性，有利于降低功耗，精简系统。
2020-10-20 15:18:001862 Easy模块F3L11MR12W2M1_B74专为在整个功率因数（cos φ）范围内工作而设计，它采用最先进的CoolSiC MOSFET和TRENCHSTOP IGBT7技术，并具备更高的二极管额定值。
2021-06-09 11:30:261618 最新一代面向汽车应用的功率 MOSFET，OptiMOS? 7 40V MOSFET提供多种无引脚、坚固的功率封装。该系列产品采用了 300 毫米薄晶圆技术和创新的封装，相比于其它采用微型封装的器件，具有
2023-06-06 11:01:361384 
? MOSFET 2000 V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求，而且即使面对严格的高电压和开关频率要求，也不会降低系统可靠性。CoolSiC? MOSFET具有更高的直流母线
2024-03-14 11:07:58975 
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）近日英飞凌推出了CoolSiC MOSFET G2技术，据官方介绍，这是新一代的沟槽栅SiC MOSFET技术，相比上一代产品也就是CoolSiC MOSFET G1有
2024-03-19 18:13:183710 
? 【 2024 年 4 月 15 日 ， 德国慕尼黑 讯】 英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出其最新先进功率MOSFET 技术—— OptiMOS? 7
2024-04-16 09:58:445117 
【 2024 年 6 月 18 日，德国慕尼黑讯】 英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）正在扩大其用于汽车应用的下一代OptiMOS? 7 MOSFET产品组合
2024-06-18 17:51:28873 
MOSFET。CoolSiC? G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅 (SiC) MOSFET沟槽技术，开启了电力系统和能量转换的新篇章，适用于光伏逆变器、能量储存系统、电动汽车充电、电源和电机驱动
2024-07-25 16:14:17788 ~CoolSiC? MOSFET D2PAK 7-pin这些半导体器件具有 3 ?s的短路能力 ，MOSFET提供全压摆率（dV/dt）控制以及4.5 V基准栅极阈值电压（VGS(th)）。它们还具备 强大的抗
2022-08-09 15:17:41
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET，根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点，使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明，
高性能适配器等。
2023-09-15 06:19:23
SJ MOSFET是一种先进的高电压功率MOSFET，根据P&S的超结原理。报价设备提供了快速切换的所有好处并且导通电阻低，使其特别适用于需要更多高效，更紧凑，LED照明，高
性能适配器等。
2023-09-15 08:16:02
最后一个字母“I”识别（例如BSC010N04LSI）。图1：英飞凌新一代MOSFET具有更低的导通电阻RDS(on) 导通电阻是MOSFET最重要的参数之一，但其他参数通常具备同等重要性，有时对于
2018-12-06 09:46:29
集成电路。CoolSET F3系列产品适用于DVD录放机、平板液晶显示器、数字动画摄影机、笔记本电脑及其它便携式电子产品的电源转换器。 CoolSET F3系列产品内置多种功能；主动的冲突模式
2018-08-27 16:14:04
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能够提供业界最低导通电阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【关键词】：功率损耗,导通电阻
2010-05-06 08:55:20
DirectFET2功率环保封装 由于采用COOLiRFET硅技术, 40V AUIRF8736M2与上一代设备相比，导通电阻（Rds（on））改善了40%,从而可以将传导损耗降到最低。双面冷却的中罐式
2018-09-28 15:57:04
MOSFET 采用 100%铜夹片LFPAK 封装。该封装坚固耐用，提供较高的板级可靠性和出色的热性能。LFPAK 封装适用于汽车以及工业和消费类应用。△ 具有较大 SOA 的 Nexperia MOSFET适用于 36V 锂电池系统应用
2022-10-28 16:18:03
的设计而言，它大幅降低了MOSFET导通电阻，并保持了出色的开关性能。 英飞凌推出的OptiMOS 3系列进一步改进了设计，使更高电压等级的器件能够受益于这种技术。在150 V 至250 V的电压
2018-12-07 10:21:41
）”，非常适用于FA等工业设备和基站（冷却风扇）的电机驱动。近年来，为了支持工业设备和基站的电机所使用的24V输入，MOSFET作为用于驱动的器件，需要具备考虑到电压稳定裕度的、40V和60V的耐压能力
2021-07-14 15:17:34
? MOSFET几乎都没有寄生导通。 假设有一个良好设计的、栅漏极电容极低的PCB布局，这时英飞凌鼓励电力电子工程师使用0V的栅极关断电压来操作CoolSiC? MOSFET分立器件。这有助于简化栅极驱动的设计，同时保证性能不受影响。原作者： Klaus Sobe 英飞凌工业半导体
2023-02-27 13:53:56
ROHM推出内置耐压高达80V的MOSFET的DC/DC转换器用IC“BD9G341AEFJ”。80V耐压是内置功率晶体管的非隔离型DC/DC转换器IC的业界最高水平，在ROHM的DC/DC
2018-10-19 16:47:06
ROHM推出内置耐压高达80V的MOSFET的DC/DC转换器用IC“BD9G341AEFJ”。80V耐压是内置功率晶体管的非隔离型DC/DC转换器IC的业界最高水平，在ROHM的DC/DC转换器
2018-12-04 10:10:43
。过去 十年 ，针对 大量 工业和 汽车应 用售 出了逾 5000 万个 带有 不同芯 片组 的EasyPACK 模块。同时，英飞凌丰富的 CoolSiC 产品组合被广泛应用于工业应用领域。随着
2021-03-27 19:40:16
并提高可靠性。东芝实验证实，与现有SiC MOSFET相比，这种设计结构在不影响可靠性的情况下[1]，可将导通电阻[2]（RonA）降低约20%。功率器件是管理各种电子设备电能，降低功耗以及实现碳中和
2023-04-11 15:29:18
锐骏半导体本周正式发布两款全新超低导 通电阻MOSFET产品，型号分别为RUH4040M-B（40V/40A）和RUH4080M-B（40V/80A）。这两款产品均采用DFN5060封装，凭借先进
2024-10-14 09:40:16
极电流，驱动电路简单，需要的驱动功率小，开关速度快，工作频率高，热稳定性优于GTR， 但其电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。 功率MOSFET的结构和工作原理 功率
2023-02-27 11:52:38
IR推出75V低侧智能功率开关，适用于严苛的24V汽车环境
国际整流器公司(International Rectifier，简称IR)推出AUIPS2051L和AUIPS2052G 75V低侧智能功率开关(IPS) ，适用于严苛的24V汽
2009-11-04 08:50:54906 Vishay Siliconix推出业内最低导通电阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011281 TI 推出具备最低导通电阻的完全整合型负载开关
TI 宣布推出一
2010-01-08 17:36:281097 适用于节能家电的创新功率转换器件
英飞凌科技股份公司近日推出适用于节能家用电器电机驱动装置的功率转换器件系列。全新的600V RC IGBT驱动系列（RC指逆向导
2010-01-23 08:37:071311 英飞凌推出适用于节能家电的创新功率转换器件
英飞凌科技股份公司近日推出适用于节能家用电器电机驱动装置的功率转换器件系列。全新的600V RC IGBT驱动系列（RC指
2010-01-25 08:44:191026 适用于汽车的DirectFET2功率MOSFET
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出适用于汽车的 AUIRF7739L2 和 AUIRF7665S2 DirectFET2 功率 MOSFET。这两款产品以坚固可靠、
2010-01-26 16:25:041600 采用PQFN封装的MOSFET 适用于ORing和电机驱动应用
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出一系列新型HEXFET功率MOSFET，其中包括能够提供业界最低导通电阻 (R
2010-03-12 11:10:071481 IR智能电源开关为24V汽车应用提供超低导通电阻
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR)推出 AUIPS7111S 高侧智能电源开关。该产品具有超低的导
2010-03-19 09:14:551305 导通电阻,导通电阻的结构和作用是什么?
传统模拟开关的结构如图1所示，它由N沟道MOSFET与P沟道MOSFET并联构成，可使正负信号传输，如果将不同VI
2010-03-23 09:27:475526 IR推出汽车专用MOSFET系列低导通电阻
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出首款汽车专用 MOSFET 系
2010-04-09 11:50:32899 全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司 (InternaTIonal Rectifier) 推出全新HEXFET功率MOSFET系列。该器件采用业界标准SOT-23封装，具有超低导通电阻 (RDS(on)) ，适用于电池充电
2010-07-22 09:29:411349 飞兆半导体推出了导通电阻RDS(ON)小于1mΩ的30V MOSFET，这款全新飞兆半导体器件FDMS7650是最大RDS(ON)值为0.99mΩ (VGS = 10 V, ID = 36A)的N沟道器件，它是业界采用5×6mm POWER56封装且RDS(ON)
2010-12-29 09:09:391735 东芝公司（Toshiba Corporation）推出了一种低导通电阻功率MOSFET，该产品也成为其专为汽车应用打造的TO-220SIS封装系列中的最新成员。新产品“TK80A04K3L”还实现了低漏电电流和175℃的保证工作温度。该产品不但非常适用于汽车应用，还适用于电机驱动器和开关稳压器
2013-01-22 10:25:301079 瑞萨电子宣布推出新款低导通电阻MOSFET产品，包括经过最佳化的μPA2766T1A，做为网路伺服器与储存系统之电源供应器内的ORing FET使用。
2013-03-06 09:50:101186 日前，Vishay宣布，推出具有业内最低导通电阻的新款P沟道MOSFET---Si7157DP，扩充其TrenchFET? P沟道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221588 TrenchFET?功率MOSFET---SiA453EDJ。该器件是2mm x 2mm占位面积的-30V器件，在-4.5V和-2.5V栅极驱动下具有业内最低的导通电阻，在便携电子产品里能够节省空间，并提高能源效率。
2014-04-29 16:30:441066 全球功率半导体和管理方案领导厂商–国际整流器公司近日推出75V器件以扩充StrongIRFETMOSFET系列，适合多种工业应用，包括电动工具、轻型电动车逆变器、直流电机驱动器、锂离子电池组保护、热插拔及开关电源（SMPS）二次侧同步整流等应用。
2014-11-13 15:40:191135 高效率的解决方案。这颗器件具有业内最低的优值系数 （FOM 即栅极电荷与导通电阻乘积），该参数是600V MOSFET在功率转换应用的关键指标。
2017-02-10 15:10:112069 MOSFET的导通电阻
2018-08-14 00:12:0013926 模块分别针对CoolSiC MOSFET和TRENCHSTOP IGBT4芯片组的最佳点损耗进行了优化，具有更高的功率密度和高达48 kHz的开关频率，适用于新一代1500V光伏和储能应用。
2019-09-14 10:56:004839 安森美半导体NTBG020N090SC1 SiC MOSFET是一款使用全新的技术碳化硅 （SiC） MOSFET，它具有出色的开关性能和更高的可靠性。此外，该SiC MOSFET具有低导通电阻
2020-06-15 14:19:404447 英飞凌推出采用全新D2PAK-7L封装的1200V CoolSiC MOSFET，导通电阻从30m?到350m?，可助力不同功率的工业电源、充电器及伺服驱动器（不同的电流额定值）实现最高效率。 了解
2020-11-03 14:09:493513 英飞凌采用全新 D2PAK-7L 封装的 1200V CoolSiC? MOSFET，导通电阻从 30m?到 350m?，可助力不同功率的工业电源、充电器及伺服驱动器（不同的电流额定值）实现最高
2021-03-01 12:16:022799 在功率半导体器件中，MOSFET以高速、低开关损耗、低驱动损耗在各种功率变换，特别是高频功率变换中起着重要作用。在低压领域，MOSFET没有竞 争对手，但随着MOS的耐压提高，导通电阻随之以
2022-03-17 09:35:333484 。这种创新的功率器件适用于汽车应用，特别适用于 EV 逆变器，尤其是具有 800-V 电池系统和更大电池容量的车辆。它提供更
2022-08-04 17:09:471830 
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)近日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。该系列具有低导通电阻，可显著降低开关损耗。该系列10款产品包括5款1200V产品和5款650V产品，现已开始出货。
2022-09-01 15:37:53952 ROHM | 开发出具有业界超低导通电阻的Nch MOSFET
2023-05-03 11:31:44867 
新产品不仅利用微细化工艺提高了器件性能，还通过采用低阻值铜夹片连接的HSOP8封装和HSMT8封装，实现了仅2.1mΩ的业界超低导通电阻（Ron）*2，相比以往产品，导通电阻降低了50%。
2023-05-10 14:20:06672 
列产品的参考资料，助力您快速了解产品各项信息。 点击下载产品参考资料 与Pch MOSFET相比，由于Nch MOSFET具有更低的导通电阻，并且在各种电路中具有更出色的易用性，因而目前在市场上更受欢迎
2023-05-17 13:35:021116 
英飞凌推出采用TO-247PLUS SMD封装的EDT2工业级分立IGBT，采用750V EDT2 IGBT技术，具有最低的导通损耗和开关损耗，这可以使电动商用车的电池电压达到450Vdc
2023-05-19 12:42:27991 ?Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")日前推出了“SSM10N961L”。这是一款低导通电阻、30V N沟道共漏MOSFET，适用于带USB的设备和电池组保护。产品发货即日起开始。
2023-11-08 16:22:22973 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出“SSM10N961L”低导通电阻30V N沟道共漏极MOSFET，适用于带有USB的设备以及电池组保护。
2023-11-09 17:39:101010 的工作效率。在这些应用中，中等耐压的MOSFET被广泛应用于各种电 路中，制造商要求进一步降低功耗。另一方面，“导通电阻
2023-11-20 01:30:56753 产品推荐 | 适用于PD3.1标准的PRISEMI芯导科技MOSFET产品
2023-12-29 10:29:40718 近日，昕感科技在新能源领域取得重大突破，推出了一款具有业界领先超低导通电阻的SiC MOSFET器件新产品（N2M120007PP0）。该产品的导通电阻达到了惊人的7mΩ，电压规格为1200V，将为新能源领域提供更为高效、可靠的功率半导体开关解决方案。
2024-01-04 14:37:571191 英飞凌科技股份公司近日发布了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列。这款产品采用了先进的TO-247PLUS-4-HCC封装，规格为12-100mΩ，旨在满足高压应用的需求。
2024-02-01 10:51:001204 另外，CoolSiC MOSFET产品组合还成功实现了SiC MOSFET市场中的最低导通电阻值（Rdson），这大大提高了能效、功率密度，以及在电力系统中的可靠性，降低了零件使用数量。
2024-03-10 12:32:411446 碳化硅（SiC）技术一直是推动高效能源转换和降低碳排放的关键，英飞凌最近推出的CoolSiC MOSFET第2代（G2）技术，也是要在这个领域提高了MOSFET的性能指标，扩大还在光伏、储能、电动汽车充电等领域的市场份额。
2024-03-12 09:33:261214 
在电力电子领域持续创新的英飞凌科技股份公司近日宣布，其已成功推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术——CoolSiC? MOSFET Generation 2。这一创新技术的推出，标志着功率系统和能量转换领域迎来了新的里程碑，为行业的低碳化进程注入了强大动力。
2024-03-12 09:43:291036 英飞凌最近发布了全新的750VG1分立式CoolSiC?MOSFET，满足工业和汽车领域对更高能效和功率密度的不断增长需求。这款产品系列包含了专为图腾柱PFC、T型、LLC/CLLC、双有源桥
2024-03-15 16:31:45908 
英飞凌科技股份公司，作为全球领先的半导体公司，近日推出了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列，这一创新产品采用TO-247PLUS-4-HCC封装，为设计人员提供了满足更高功率密度需求的解决方案。
2024-03-20 10:27:291160 英飞凌科技近日推出750V G1分立式CoolSiC? MOSFET，以满足工业和汽车功率应用对更高能效和功率密度日益增长的需求。该产品系列包含工业级和车规级SiC? MOSFET，针对图腾柱
2024-04-19 14:45:26518 
英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX/OTCQX代码：IFNNY）推出采用TO-247PLUS-4-HCC封装的全新CoolSiC? MOSFET 2000V。这款产品不仅能够满足设计人员对更高功率密度的需求，而且即使面对严格的高电压和开关频率要求，也不会降低系统可靠性。
2024-05-24 10:13:451715 
基解决方案，丰富了英飞凌的宽带隙产品阵容。该系列产品配备集成式快速体二极管，适用于服务器和工业开关模式电源装置（SMPS）、电动汽车充电器、微型太阳能等
2024-06-26 18:12:00716 
全球能源转型相关应用领域，例如，光伏、储能、电动汽车和电动汽车充电基础设施。英飞凌CoolSiC产品系列在这些领域大有可为。扫码下载英飞凌碳化硅白皮书QCoolSi
2024-07-12 08:14:41805 
英飞凌再次引领行业潮流，最新推出的600V CoolMOS? 8 SJ MOSFET系列，以其卓越的技术创新和卓越性价比，在全球范围内树立了高压超级结MOSFET技术的新标杆。作为英飞凌新一代硅基
2024-09-03 14:50:45888 半导体器件 650 V产品组合。 这两个产品系列基于CoolSiC 第2代（G2）技术，在性能、可靠性和易用
2024-09-07 10:02:071630 近日，锐骏半导体正式推出了两款全新的超低导通电阻MOSFET产品，为市场带来了更加高效的解决方案。
2024-10-08 15:15:39686 高效率的汽车功率模块，适用于电动汽车 (EV) 以及混合动力电动汽车 (HEV) 的牵引逆变器。 英飞凌HybridPACK Drive G2模块结合了英飞凌新一代EDT3 (Si IGBT) 和CoolSiC? G2 MOSFET芯片技术，可实现性能扩
2024-11-29 14:58:55321 。CoolSiCMOSFET750V充分利用了英飞凌20多年的SiC经验。它在性能、可靠性和坚固性方面都具有优势，并具有栅极驱动灵活性，从而简化了系统设计，提高了成本效益，实现了最高的效率和功率
2024-12-20 17:04:51600 新品QDPAKTSC顶部散热封装工业和汽车级CoolSiCMOSFETG18-140mΩ750V新推出的CoolSiCMOSFET750VG1是一个高度可靠的SiCMOSFET系列，具有最佳的系统性
2025-01-17 17:03:27669 【2025年2月20日, 德国慕尼黑讯】 电子行业正在向更加紧凑而强大的系统快速转型。为了支持这一趋势并进一步推动系统层面的创新，全球功率系统、汽车和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份
2025-02-21 16:38:52441 
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向企业级高性能服务器和AI服务器电源，开发出实现了业界超低导通电阻*1和超宽SOA范围*2的Nch功率MOSFET*3。
2025-03-13 15:08:04593 
英飞凌第二代CoolSiC MOSFET G2分立器件1200V TO-247-4HC高爬电距离 采用TO-247-4HC高爬电距离封装的第二代CoolSiC MOSFET G2 1200V 12m
2025-03-15 18:56:32469 TPS22995是一款单通道负载开关，集成了N-channel MOSFET，具有低导通电阻（18 mΩ）和可配置的上升时间，用于限制启动时的涌入电流。该开关适用于笔记本电脑、平板电脑、工业PC及离散工业解决方案等应用。
2025-05-07 17:52:38289 
新品采用顶部散热QDPAK的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET半桥产品英飞凌采用顶部散热QDPAK的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET半桥产品，专为各种工业应用开发，包括工业
2025-05-27 17:03:36297 新品采用顶部散热Q-DPAK封装的CoolSiC1200VG2SiCMOSFET英飞凌采用顶部散热Q-DPAK封装的CoolSiC1200VSiCMOSFET单管，专为各种工业应用开发，包括工业驱动
2025-05-29 17:04:21429 问题。今天的文章将会主要聚集在G2的导通特性上。在MOSFET设计选型过程中，工程师往往会以MOSFET常温下漏源极导通电阻RDS(on)作为第一评价要素。RDS(o
2025-06-16 17:34:51142 英飞凌750V CoolSiC 碳化硅MOSFET分立器件具有业界领先的抗寄生导通能力和成熟的栅极氧化层技术，可在Totem Pole、ANPC、Vienna整流器和FCC等硬开关拓扑中实现卓越性能。
2025-06-20 14:44:26372 开关和硬开关两种场景下，如何进行CoolSiCMOSFETG2的选型。G2在硬开关拓扑中的应用除了RDS(on)，开关损耗在SiCMOSFET的选型中也扮演着非常
2025-06-23 17:36:47169 扬杰科技最新推出了一系列用于清洁能源的N60V MOSFET产品，产品采用特殊优化的SGT技术，具有较低的导通电阻Rdson和栅极电荷Qg，明显降低导通和开关损耗，同时提升了MOSFET抗冲击电流能力，非常适合应用于高功率密度和高效率电力电子变换系统。
2025-06-27 09:43:53245 
新品采用D2PAK-7封装的CoolSiC650VG2SiCMOSFET第二代CoolSiCMOSFET650VG2分立器件系列推出D2PAK-7引脚封装（TO-263-7），该系列导通电阻（RDS
2025-07-01 17:03:11543
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