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SK海力士(Hynix)是一家源自韩国的半导体芯片制造商,主要生产DRAM和NAND闪存等存储芯片。它是全球最大的半导体公司之一,也是全球DRAM市场的领导者之一。
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随着半导体行业的复苏,两大巨头三星电子和SK海力士纷纷加大了研发(R&D)费用与基础设施投资。据三星电子发布的最新季度报告,公司在2024年一季...
近日,SK海力士与台积电宣布达成合作,计划量产下一代HBM(高带宽内存)。在这项合作中,台积电将主导基础芯片的前端工艺(FEOL)和后续布线工艺(BEO...
SK海力士旗下的代工子公司SK Key Foundry近日宣布了一项重要计划,该公司计划在7月于其位于忠清北道清州的8英寸晶圆厂开始生产电源管理芯片(P...
近日,三星和SK海力士宣布,将于下半年停止生产并供应DDR3内存,转向利润更高的DDR5内存和HBM系列高带宽内存。此举标志着内存行业的一次重要转型。
三星电子HBM3E芯片验证仍在进行,与英伟达展开联合测试并取得阶段性成果
据行业观察者透露,三星HBM3E面临的问题源于台积电在验证过程中采用了SK海力士的标准,而这与三星自身的生产方式有所出入,从而影响了产品的认证进程。
据了解,预计SK启方半导体最早将于7月份启动位于忠清北道清州的8英寸晶圆厂生产线,开始生产适配特斯拉电动车的电源管理芯片。
SK海力士公司近日在首尔举办的IEEE 2024国际存储研讨会上,由先进HBM技术团队负责人Kim Kwi-wook宣布了一项重要进展。SK海力士计划从...
据业内人士预计,HBM4E的堆叠层数将增加到16~20层,而SK海力士原本计划在2026年量产16层的HBM4产品。此外,该公司还暗示,有可能从HBM4...
SK海力士、三星电子:HBM内存供应充足,明年HBM4将量产
这类内存的售价远高于主流 DRAM,而由于制作 TSV 工艺的良率问题,对晶圆的消费量更是达到普通内存的 2-3 倍。因此,内存厂商需提高 HBM 产量...
SK海力士HBM4E内存2025年下半年采用32Gb DRAM裸片量产
值得注意的是,目前全球三大内存制造商都还未开始量产1c nm(第六代10+nm级)制程DRAM内存颗粒。早前报道,三星电子与SK海力士预计今年内实现1c...
业界传出,全球前二大DRAM供货商三星、SK海力士全力冲刺高带宽内存(HBM)与主流DDR5规格内存,下半年起将停止供应DDR3利基型DRAM,引起市场...
HBM 制造商 Kim Gwi-wook 宣布,由于市场需求,SK海力士将提速研发进程,预计最快在 2026 年推出 HBM4E 内存在内存带宽上比 H...
虽然 DDR3 逐渐沦为边缘化产品,但其在电视机顶盒、无线路由器、交换机以及显示器等设备中的应用仍然广泛。值得关注的是,全球第四大内存商美光虽尚未明确决...
在智能手机技术日新月异的今天,SK海力士再次引领行业潮流,成功推出新一代移动端NAND闪存解决方案——ZUFS 4.0。这款专为端侧AI手机优化的闪存产...
韩国芯片巨头SK海力士旗下的晶圆代工子公司SK海力士系统集成电路,近日宣布了与中国企业无锡产业发展集团有限公司的重大合作。根据协议,SK海力士系统集成电...
半导体行业近日迎来重大消息,SK海力士系统IC决定将其无锡晶圆代工厂的部分股权出售给无锡产业发展集团公司。根据双方签署的协议,SK海力士将出售其持有的无...
具体而言,现有的DRAM设计团队将负责HBM3E内存的进一步研发,而三月份新成立的HBM产能质量提升团队则专注于开发下一代HBM内存——HBM4。
根据公开文件及行业内人士透露,SK海力士系统IC近期达成协议,将其在无锡晶圆厂的21.3%股权以1.493亿美元价格售予无锡产业发展集团,交易预计将于今...
据报道,SK海力士系统IC近期已与无锡产业发展集团公司签订协议,将其在无锡晶圆厂21.3%的股权以1.493亿美元的价格转让,预计今年10月完成交易。
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