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英飞凌

英飞凌作为半导体与系统解决方案行业领先者，提供微处理器,LED驱动,传感器以及汽车用集成电路与功率管理芯片等产品。

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英飞凌数据手册

型号	描述	参考价格
IPP040N08NF2S		获取价格
IGP30N60H3	IGBT类型:沟槽场截止;功率(Pd):187W;集射极击穿电压(Vces):600V;集电极电流(Ic):60A;	获取价格
IPA60R650CE	类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-;	获取价格
IPA029N06NM5S	类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;	获取价格
IPP60R180P7	类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-;	获取价格
IPA041N04N G	类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-;	获取价格
IPA80R1K4P7	类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-;	获取价格
IRFBE30PBF	类型:N沟道;漏源电压(Vdss):800V;连续漏极电流(Id):4.1A;功率(Pd):125W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3Ω@10V,2.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;	获取价格
IRF820PBF	类型:N沟道;漏源电压(Vdss):500V;连续漏极电流(Id):2.5A;功率(Pd):50W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3Ω@10V,1.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;	获取价格
IRF9Z34N	类型:P沟道;漏源电压(Vdss):55V;连续漏极电流(Id):19A;功率(Pd):68W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):100mΩ@10V,10A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;	获取价格
IRFBC40PBF	类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):6.2A;功率(Pd):125W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.2Ω@10V,3.7A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;	获取价格
SPP21N50C3	类型:N沟道;漏源电压(Vdss):500V;连续漏极电流(Id):21A;功率(Pd):208W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):190mΩ@10V,13.1A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.9V@1mA;	获取价格
IPP041N04N G	类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):94W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.1mΩ@10V,80A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@45uA;	获取价格
IPP072N10N3 G	类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):80A;功率(Pd):150W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7.2mΩ@10V,80A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@90uA;	获取价格
IPP040N06N	类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):90A;功率(Pd):188W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4mΩ@10V,90A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@90uA;	获取价格
IPP024N06N3 G	类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):120A;功率(Pd):250W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.4mΩ@10V,100A;	获取价格
IPP015N04N G	Mosfet, N Channel, 40V, 120A, To-220-3; Channel Type:n Channel; Drain Source Voltage Vds:40V; Continuous Drain Current Id:120A; Transistor Mounting:through Hole; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2V; Msl:- Rohs Compliant: Yes	获取价格
IPP90R340C3	类型:N沟道;漏源电压(Vdss):900V;连续漏极电流(Id):15A;功率(Pd):208W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):340mΩ@10V,9.2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@1mA;	获取价格
BSS816NWH6327	类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):1.4A;功率(Pd):500mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):160mΩ@2.5V,1.4A;阈值电压(Vgs(th)@Id):750mV@3.7uA;	获取价格
BSS84PWH6327	类型:P沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):150mA;功率(Pd):300mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8Ω@10V,150mA;阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@20uA;	获取价格
IPD090N03L G	Mosfet, N Channel, 30V, 40A, To-252; Channel Type:n Channel; Drain Source Voltage Vds:30V; Continuous Drain Current Id:40A; Transistor Mounting:surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2.2V Rohs Compliant: Yes	获取价格
IKD06N60RA		获取价格
IPD50R1K4CE	类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-;	获取价格
IPD600N25N3 G	类型:N沟道;漏源电压(Vdss):250V;连续漏极电流(Id):25A;功率(Pd):136W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):60mΩ@10V,25A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@90uA;	获取价格
IPD65R400CE	类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):15.1A;功率(Pd):118W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):400mΩ@10V,3.2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@320uA;	获取价格
IPD60R650CE	类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-;	获取价格
IPD60R800CE	类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-;	获取价格
IPD80R2K4P7	类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-;	获取价格
IPD60R180P7	类型:N沟道;漏源电压(Vdss):600V;连续漏极电流(Id):18A;功率(Pd):72W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):180mΩ@10V,5.6A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@280uA;	获取价格
BAR 64-05W H6433	二极管 - 射频 PIN - 1 对共阴极 150V 100 mA 250 mW PG-SOT323	获取价格

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