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标签 > 氮化镓
氮化镓，分子式GaN，英文名称Gallium nitride，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。
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氮化镓电源芯片U8733L与U8733同属U8733X系列，都是外置OTP，自带降功率(限12V最大输出)，集成高压启动电路，可获得快速启动功能和超低的...
直击AI服务器电源痛点！英诺赛科4.2KW氮化镓方案在2025慕展惊艳登场
电子发烧友网报道（文/章鹰）4月15日到17日，在慕尼黑上海电子展上，功率器件大厂英诺赛科带来了数字能源、消费电子、汽车电子、机器人领域最新的氮化镓器件...
? 纳微高功率GaNSafe氮化镓功率芯片已达到电动汽车所需的量产表现，可为车载充电机（OBC）和高压转低压的DC-DC变换器解锁前所未有的功率密度和效...
众所周知，“80 PLUS”是用于评估并认证计算机和服务器内部电源效率的重要标准指标，而2011年推出的钛金作为其最严苛的效率标准，也于2025年1月，...
似乎我们的所有设备，都只能一味地“索取”电能，但你有没有想过，有一天我们的电子设备也能在电网需要时，将储存的电能反向输送。
氮化镓电源芯片U8722X系列喜迎U8722FE料号 功率65W
氮化镓电源芯片U8722X系列喜迎U8722FE料号功率65WYINLIANBAO深圳银联宝科技氮化镓电源芯片U8722X家族，喜提“芯”成员——U87...
意法半导体与英诺赛科签署氮化镓技术开发与制造协议 借力双方制造产能
??双方签署氮化镓（GaN）技术联合开发协议，致力于为AI数据中心、可再生能源发电与存储、汽车等领域打造面向未来的功率电子技术。 ??英诺赛科可借助意法...
芯干线荣获2025中国IC设计成就奖之年度最佳功率器件/宽禁带器件
此前，2025年3月27-28日，全球前沿的电子行业媒体机构 AspenCore，在上海金茂君悦大酒店成功举办了“国际集成电路展览会暨研讨会(IIC S...
随着半导体技术不断革新，智能功率氮化镓（GaN）成为备受瞩目的关键技术。它融合了氮化镓材料高电子迁移率、低导通电阻、耐高温高压的特性，以及智能控制电路和...
氮化镓技术再突破！英飞凌重磅发布新品，助力人形机器人能效革新
电子发烧友原创 章鹰 3月14日，在英飞凌ICIC峰会上，英飞凌首次在国内展示英飞凌发布两项技术创新，分别是英飞凌300mm氮化镓功率半导体晶圆和20μ...
2025-03-20 标签：氮化镓 2063 0
中科院最新实验数据显示：一片比指甲盖还小的纳米金刚石膜，能让氮化镓器件寿命暴增8倍！华为被曝光的实验室视频更震撼：用激光在GaN芯片上‘雕刻’出微米级钻...
唯一全面专注的下一代功率半导体公司及下一代氮化镓（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技术领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码: NVTS）今日重磅发布...
CGD官宣突破性技术：以创新性氮化镓解决方案撬动超百亿美元新能源车主驱逆变器市场
通过将ICeGaN HEMT与IGBT混合并联集成至单一封装，实现高效率与降本双赢 ? 2025年3月10日，英国剑桥讯——Cambridge GaN ...
2025-03-11 标签：氮化镓 736 0
在过去十年中，碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)技术的迅速崛起显著重塑了电力电子行业。这些宽禁带材料提供了诸多优势，如降低功率损耗、更高的开关速度以及能...
英飞凌全球宽禁带开发者论坛连续多年举办，汇集了来自碳化硅SiC和氮化镓GaN领域的专家，更有一个来自中国客户的特邀报告。2025年3月11日北京时间下午...
国产碳化硅（SiC）功率器件综合优势扳倒进口GaN功率半导体
国产碳化硅(SiC)功率器件综合优势扳倒进口GaN功率半导体，国产碳化硅(SiC)功率器件在成本、可靠性和应用场景上的优势，使其在汽车、工业和新能源领域...
在混合式氮化镓?VCSEL?的研究，2010年本研究团队优化制程达到室温连续波操作电激发氮化镓?VCSEL，此元件是以磊晶成长?AlN/GaN DBR?...
香港科技大学陈敬教授课题组公布氮化镓与碳化硅领域多项最新研究成果
? 半导体产业网获悉： 香港科技大学电子与计算机工程系陈敬教授课题组 ，在第70届国际电子器件大会（IEEE International Electro...
突破电力效能边界：ZN70C1R460D 氮化镓晶体管重磅登场！
?在科技飞速发展的当下，电子元件的创新成为推动各领域进步的关键力量。Ziener 公司最新推出的 ZN70C1R460D 氮化镓（GaN）场效应晶体管（...
上述实验结果为近年来局限在光激发的氮化镓?VCSEL?的结果，一直到2008年，作者实验室首次在77 K?下成功制作出第一个电激发氮化镓VCSEL，其雷...
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