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标签 > 刻蚀
刻蚀,英文为Etch,它是半导体制造工艺,微电子IC制造工艺以及微纳制造工艺中的一种相当重要的步骤。是与光刻 [1] 相联系的图形化(pattern)处理的一种主要工艺。所谓刻蚀,实际上狭义理解就是光刻腐蚀,先通过光刻将光刻胶进行光刻曝光处理,然后通过其它方式实现腐蚀处理掉所需除去的部分。
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相较于传统CMOS工艺,TSV需应对高深宽比结构带来的技术挑战,从激光或深层离子反应刻蚀形成盲孔开始,经等离子体化学气相沉积绝缘层、金属黏附/阻挡/种子...
半导体湿法刻蚀过程中残留物的形成,其背后的机制涵盖了化学反应、表面交互作用以及侧壁防护等多个层面,下面是对这些机制的深入剖析: 化学反应层面 1 刻蚀剂...
等离子体刻蚀和湿法刻蚀是集成电路制造过程中常用的两种刻蚀方法,虽然它们都可以用来去除晶圆表面的材料,但它们的原理、过程、优缺点及适用范围都有很大的不同。...
在MEMS中,玻璃因具有良好的绝缘性、透光性、化学稳定性及可键合性(如与硅阳极键合),常被用作衬底、封装结构或微流体通道基板。玻璃刻蚀是制备这些微结构的...
金属低刻蚀的光刻胶剥离液及其应用及白光干涉仪在光刻图形的测量
引言 在半导体制造与微纳加工领域,光刻胶剥离是重要工序。传统剥离液常对金属层产生过度刻蚀,影响器件性能。同时,光刻图形的精确测量也是确保制造质量的关键。...
在刻蚀清洗机中,热电阻可以用于温度监测和控制,但需根据具体应用场景和需求选择合适类型,并注意其局限性。以下是详细分析: 1. 热电阻的适用性 温度测量:...
芯片刻蚀是半导体制造中的关键步骤,用于将设计图案从掩膜转移到硅片或其他材料上,形成电路结构。其原理是通过化学或物理方法去除特定材料(如硅、金属或介质层)...
ICP(Inductively Coupled Plasma,电感耦合等离子体)刻蚀技术是半导体制造中的一种关键干法刻蚀工艺,广泛应用于先进集成电路、M...
半导体BOE(Buffered Oxide Etchant,缓冲氧化物蚀刻液)刻蚀技术是半导体制造中用于去除晶圆表面氧化层的关键工艺,尤其在微结构加工、...
湿法刻蚀和清洗在半导体加工过程中都是重要的化学处理步骤,但它们在目的、原理以及操作上存在明显的区别。以下是对这两者的详细对比: 一、目的 湿法刻蚀 主要...
2025-04-08 标签:刻蚀 347 0
中微公司ICP双反应台刻蚀机Primo Twin-Star取得新突破
近日,中微半导体设备(上海)股份有限公司(以下简称“中微公司”,股票代码“688012.SH”)宣布通过不断提升反应台之间气体控制的精度, ICP双反应...
华林科纳半导体高选择性蚀刻是指在半导体制造等精密加工中,通过化学或物理手段实现目标材料与非目标材料刻蚀速率的显著差异,从而精准去除指定材料并保护其他结构...
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