资料介绍
摘 要:设计一款 60KW 的电机驱动控制器,产品的功能、性能及成本等都能达到客户的需求,还要在市场上有竞争力。根据客户要求再开发一款中型物流车车用电机 控制器,该控制器低压部分电源为输入 12V,高压驱动电路输入是直流 360V
输出交 流有效值约 250V,功率 60KW,效率>95%。在控制电路和驱动电路上做了一些优化, 超过了预期的设计目标要求
1.引言
由于有了“15KW 电机控制器”上个项目经验,产品的功能、性能及成本等都能 达到客户的需求市场表现也比较优越,还为公司争取到了不错的名声和积累了一些 宝贵的关键技术。根据客户要求
再开发一款中型物流新能源车车用电机控制器,该控 制器低压部分电源为输入 12V,高压驱动电路输入是直流 360V,输出交流有效值约 250V,功率 60KW,效率>95%。无疑该项目难度比 15KW 电机控制器难度大。针对该项 目的设计需求,本人在原有的“15KW 电机控制器”基础上进行技术上的改进等等, 最终达到客户的需求和市场的认可
2.关键技术
2.1 驱动电路 IGBT 模块化,减小寄生参数、实现均流平衡技术
为了能够使电机控制器达到输出功率 60KW,用 IGBT 单管并联方案很难达到设计 指标本人在方案上采用了 IGBT 模块化技术。常用的 IGBT 并联方案是输入并联,输 出也并联但是它的问题比较多,如:
1、IGBT 的寄生参数太大,大功率时不可忽略, 增加了设计与生产成本
2、并联方案的均流技术不好实现或很难实现,假设 A 和 B IGBT,流过 A 的电流很少
流过 B 的电流较大,长时间工作 B 号 IGBT 烧坏的可能性远 远增大,使整车风险性增加
本项目采用的是驱动 IGBT 模块化方案:三项六桥臂加上 NTC 温度采样。该方式的优点是:
1、IGBT 寄生参数大大减小
2、不存在均流问 题
3、晶圆旁边或内部集成了 NTC 温度采样,IGBT 保护更齐全、更安全
4、驱动 电路更安全、更简单。从图 2 和图 4 可以看出需要注意的问题:
1、分立器件插件器件特别多,贴片后需要波峰焊,贴片工艺难度增大,成本增 加
2、分立器件散热结构件比较复杂,装配难度增加。
3、分立器件寄生参数比较大,PCB LAYout 布局等等比较复杂
耐压、电流、高 压隔离、驱动能力、EMI 问题都要考虑进去,布线更难
4、由于器件比较多,特别插件器件多,低压信号和高压信号不能更好的隔离
布线难度增加,插件器件多导致散热主要通过控制器壳体进行散热,控制器结构难度 增加




图 1 为三个英飞凌单管(型号:IGBTFGY120T65SPD-F085)并联方案,
它们为电 机 H 桥驱动电路三项六桥臂的其中一个桥臂,此方案的优点:
1、价格便宜 2、体积 小 3、市场竞争力大
缺点:
1、各单管 IGBT 均流问题不好解决,很容易导致某个管 子过电流过大而烧坏,导致整个驱动系统被烧坏出现异常
2、寄生参数比较多,比 如寄生电容、寄生电感等等,由于这些寄生参数 IGBT 续流二极管和 Vce 的尖峰电压
不得不考虑进去,这些寄生参数很容易导致 IGBT 失效
3、支撑 IGBT 的结构体设计 比较复杂,生产组装工序复杂,测试比较繁琐,量产效率比较低
4、分立的 IGBT 共需要 18 个,PCBlayout 布局比较复杂,layout 考虑的因素非常多
图 3 为用英飞凌 IGBT 集成模块(HPDrive)搭建的电机 H 桥驱动电路,此方案设 计实施的优点为:
1、集成化比较高,一个模块自带 H 桥的三项六桥臂即 6 各 IGBT 集成在一体并且 晶圆自带 NTC 负温度系数的热敏电阻可以时刻侦测 IGBT 晶圆内部的温度。由于集 成度较高,使得驱动电路设计更简单方面;控制器散热更优越,体积更小为其他整 车部件预留更多的空间,如:BMS、DCDC、高压配电柜等等
2、寄生参数比较小,几乎不受本体寄生参数的影响,如寄生电容、寄生电感等 等。进一步减小驱动电路设计难度较小的成本实现强大稳定的功能,更容易实现稳 定、安全、可靠的电机驱动电路
3、Ic 持续通电流能力比较大可以达到 450A,CE 两端的电压可以达到 650V可以 同时满足新能源乘用车、小型物流车、甚至重卡的需求,即一款控制器电路可以匹配 多种功率的电机大大缩短新项目研发、调试、试验、生产等周期。由于不同款的控 制器用的器件、结构件基本相同仓库物料管理也会更简单,更容易管控成本,市场 竞争力也会更强
4、散热问题比较容易解决,IGBT 背面自带集成散热片,可以直接扣在控制器外 壳的水槽内散热不需要做特殊的处理,直接利用整车的现有冷却液散热就可以
5、IGBT 集成度高 PCBlayout 布局比较容易,layout 考虑点减少
6、交流 2.5KV 的绝缘强度,高功率的密度,做绝缘处理的铜底板
2.2 驱动电路 IGBT 短路保护功能技术
下图 5 所示,当 IGBT 短路过流时,驱动芯片的 3pin Desat 会提供一个恒流源, 经过电阻 R300高压隔离二极管 D300,在经过 IGBT 的 CE 流经到驱动芯片的 4pinGND。 直到 IGBT 的 Vce 管压降到 9v 时此时对去饱和电容进行充电到 9v,芯片内部会做 封波处理以保护 IGBT 防止因为短路过流过热而烧坏晶圆当去包和电容 C300 升高到 9v 时,驱动芯片 7pin 输出为低电平,通过三极管搭建的推挽短路上 N 管 Q300 和下 P 管 Q301,去关闭 IGBT。这时,驱动芯片 16pin FLT 故障输出低电平被激活,送到单片 机处理反馈到新能源整车的 VCU 做下一个动作的处理。驱动芯片输出 16Pin (FLT) 输出低电平即封波,此时 IGBT 关闭硬件电路设计去饱和电容 C300 驱动芯片消隐时 间用来为 IGBT 从放大到饱和预留出足够的时间
消隐时间是由驱动芯片内部一个高 精度的电流源和外部电容 C300 提供的。这个技术的应用保护了控制器即新能源汽 车的核心器件 IGBT 不被烧坏,为整车的安全稳定运行提供了保障

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