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IGBT又称绝缘栅双极型晶体管，是由双极型三极管（BJT）和绝缘栅型场效应管（MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管。因此，可以把其看作是MOS输入的达林顿管。
它融合了MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点，具备易于驱动、峰值电流容量大、自关断、开关频率高（10-40kHz）等特点，已逐步取代晶闸管和门极可关断晶闸管（GTO），是目前发展最为迅速的新一代电力电子器件。广泛应用于小体积、高效率的变频电源、电机调速、 UPS 及逆变焊机当中。
IGBT的工作原理
IGBT由栅极G、发射极E和集电极C三个极控制。
如图1，IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP晶体管提供基极电流，使IGBT导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT关断。
由图2可知，若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通；若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOSFET截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。
图1 IGBT结构图
图2 IGBT电气符号(左)与等效的电路图(右)
如果IGBT栅极与发射极之间的电压，即驱动电压过低则IGBT不能稳定的工作；如果过高甚至超过栅极—发射极之间的耐压，则IGBT可能会永久损坏。
同样，如果IGBT集电极与发射极之间的电压超过允许值，则流过IGBT的电流会超限，导致IGBT的结温超过允许值，此时IGBT也有可能会永久损坏。
IGBT极性判断
对IGBT进行检测时，应选用指针式万用表。首先将万用表拨到R×1kΩ档，用万用表测量各极之间的阻值。若某一极与其它两极阻值为无穷大，调换表笔后该极与其它两极的阻值仍为无穷大，则此极为栅极G。再用万用表测量其余两极之间的阻值，若测得阻值为无穷大，调换表笔后阻值较小，当测量阻值较小时，红表笔接触的为集电极C，黑表笔接触的为发射极E。
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