资料介绍
General Description
The WSP8212 is the highest performance trench Dual N-ch MOSFET with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate charge for most of the small power switching and load switch applications. The WSP8212 meet the RoHS and Green Product requirement with full function reliability approved.
Features
Advanced high cell density Trench technology z Super Low Gate Charge z Excellent Cdv/dt effect decline z Green Device Available
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- WSP4884 N+N SOP8 30V8.8A 76次下载
- WSP4886 N+N SOP8 30V8.8A 低开 5次下载
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- WSP6064 N SOP-8 60V6.8A 10次下载
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