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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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SGN2731-500L-R 雷达用高压大功率GaN HEMT

GaN HEMT
型号： SGN2731-500L-R

--- 产品参数 ---

  • 厂家 Sumitomo Electric Device Innov
  • 型号 SGN2731-500L-R
  • 名称 IMFET GaN 氮化镓场效应晶体管
  • 产地 日本
  • 封装 IV

--- 产品详情 ---

SGN2731-500L-R 

型号简介
Sumitomo的GaN HEMT SGN2731-500L-R为s波段雷达应用提供了高功率、高效率和更大的一致性，具有50V操作和高达120?sec脉冲宽度的脉冲条件，占空比高达10%。


型号规格  
厂家                    Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A. 
型号                    SGN2731-500L-R
名称                    IMFET GaN 氮化镓场效应晶体管
产地                    日本
封装                    IV


型号参数
高功率：550W（典型）@引脚=31.6W（45dBm）
高效率：57%（典型值）@引脚=31.6W（45dBm）
宽带：2.7至3.1GHz
阻抗匹配Zin/Zout=50Ω


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