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SMC2933L6012R 高压-大功率GaN HEMT 托盘放大器

GaN HEMT
型号： SMC2933L6012R

--- 产品参数 ---

  • 厂家 Sumitomo Electric Device Innov
  • 型号 SMC2933L6012R
  • 名称 GaN HEMT 氮化镓高电子迁移率晶体管
  • 产地 日本
  • 封装 DFN

--- 产品详情 ---

SMC2933L6012R

型号简介
Sumitomo的GaN HEMT托盘放大器SMC2933L6012R提供高功率，高效、易于匹配和更大的一致性，覆盖2.9至3.3GHz，适用于50V操作和脉冲的S波段脉冲应用高达300usec脉冲宽度的条件和高达10%的占空比。


型号规格  
厂家                    Sumitomo Electric Device Innovations U.S.A. 
型号                    SMC2933L6012R
名称                    GaN HEMT 氮化镓高电子迁移率晶体管
产地                    日本
封装                    DFN
 

型号参数
高压操作：VDS=50V
高功率：700W（典型值）@引脚=31.6W（45dBm）
高效率：50%（典型值）@引脚=31.6W（45dBm）
功率增益：13.5dB（典型值）
阻抗匹配Zin/Zout=50欧姆


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