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DSS4160FDBQ 60V 双NPN 低SAT 晶体管

Diodes 晶体管
型号： DSS4160FDBQ

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DSS4160FDBQ
  • 名称 60V 双NPN 低SAT 晶体管
  • 产地 台湾
  • 封装 U-DFN2020-6 (Type B)

--- 产品详情 ---

DSS4160FDBQ  

 产品简介
DIODES 的DSS4160FDBQ这种双极结型晶体管（BJT）设计用于满足汽车应用的要求。


产品规格  
品牌                    DIODES
型号                    DSS4160FDBQ
名称                    60V 双NPN 低SAT 晶体管
产地                    台湾
封装                    U-DFN2020-6 (Type B)

 

产品参数
Category Low Saturation Transistor
Compliance(Only Automotive supports PPAP) Automotive
Polarity NPN + NPN
VCEO, VCES (V) 60
IC (A) 1
ICM (A) 1.5
PD (W) 1.6
hFE (Min) 290
hFE (@ IC) (A) 0.1
hFE(Min 2) 150
hFE (@ IC2) (A) 0.5
VCE(sat) Max (mV) 120
VCE(SAT) (@ IC/IB) (A/mA) 0.5/50
VCE(sat) (Max.2) (mV) 240
VCE(sat) (@ IC/IB2) (A/mA) 1/50
fT (MHz) 175
RCE(sat) (mΩ) 180


主要特征
BV首席执行官> 60V
I C = 1A 高连续集电极电流
R CE( sat) = 180mΩ，可实现低等效导通电阻
低饱和电压 VCE ( sat) < 220mV @ 1A
P D高达 2.47W，适合高功率应用
R θ JA效率比 SOT26 低 40%
适用于薄型应用的薄型 0.6mm 高封装

 


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