--- 产品参数 ---
- 品牌 DIODES
- 型号 ZXMN3A01F
- 名称 N 沟道增强型 MOSFET
- 产地 台湾
- 封装 SOT23
--- 产品详情 ---

产品简介
DIODES 的 ZXMN3A01F新一代 TRENCH MOSFET 采用独特的结构,结合了低导通电阻和快速开关速度的优点。这使得它们非常适合高效率、低电压、电源管理应用。
产品规格
品牌 DIODES
型号 ZXMN3A01F
名称 N 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 SOT23
产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity N
ESD Diodes (Y|N) No
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 20 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 1.8 A
PD @TA = +25°C (W) 0.625 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 120 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 180 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.5 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 2.3 (@5V) nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 3.9 nC
CISS Typ (pF) 190 pF
主要特征
低导通电阻
快速切换速度
低阈值
低门驱动器
小型表面安装封装
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