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DMP3007SCG 30V P 沟道增强型 MOSFET 晶体管

Diodes MOSFET 晶体管
型号： DMP3007SCG

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMP3007SCG
  • 名称 30V P 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 V-DFN3333-8 (Type B)

--- 产品详情 ---

DMP3007SCG 

产品简介
DIODES 的 DMP3007SCG 该 MOSFET 旨在最大限度地降低通态电阻 (R DS(ON) )，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。

 

产品规格 
品牌                  DIODES
型号                  DMP3007SCG
名称                  30V P  沟道增强型 MOSFET
产地                  台湾
封装                  V-DFN3333-8 (Type B)


产品参数
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 30 V
|VGS| (±V) 25 ±V
|IDS| @TC = +25°C (A) 50 A
PD @TA = +25°C (W) 2.4 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 6.8 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 13 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 3 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 31.2 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 64.2 nC
CISS Typ (pF) 2826 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 15 V


主要特征
低 R DS(ON) – 确保导通状态损耗最小化
小外形热效率封装可实现更高密度的最终产品
仅占用 SO-8 所占电路板面积的 33%，从而实现更小的最终产品
HBM ESD 保护等级典型值为 8kV


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