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DMP2035UFCL P 沟道增强型 MOSFET 晶体管

MOSFET 晶体管
型号： DMP2035UFCL

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMP2035UFCL
  • 名称 P 沟道增强型 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 U-DFN1616-6

--- 产品详情 ---

DMP2035UFCL 

产品简介
DIODES 的 DMP2035UFCL 这款新一代 MOSFET 旨在最大限度地降低导通电阻 (R DS(ON) )，同时保持卓越的开关性能，使其成为高效电源管理应用的理想选择。

 

产品规格 
品牌                DIODES
型号                DMP2035UFCL
名称                P  沟道增强型 MOSFET
产地                台湾
封装                U-DFN1616-6

 

产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 20 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 6.6 A
PD @TA = +25°C (W) 1.6 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 24 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 31 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 45 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.4 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 15.4 nC
QG Typ @ |VGS| = 10V (nC) 29 (@8V) nC
CISS Typ (pF) 1610 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 10 V

 

主要特征
非常适合薄型应用
低 R DS(ON) - 最大限度地减少传导损耗
PCB 占位面积为 2.56mm 2
ESD保护栅极

 

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