--- 产品参数 ---
- 品牌 DIODES
- 型号 DMP1005UFDF
- 名称 P 沟道增强型 MOSFET
- 产地 台湾
- 封装 U-DFN2020-6
--- 产品详情 ---

产品简介
DIODES 的 DMP1005UFDF 该MOSFET设计用于最小化导通电阻(RDS(on))同时保持卓越的切换性能,使其成为高效电源管理应用。
产品规格
品牌 DIODES
型号 DMP1005UFDF
名称 P 沟道增强型 MOSFET
产地 台湾
封装 U-DFN2020-6
产品参数
AEC Qualified No
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Standard
Polarity P
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 12 V
|VGS| (±V) 8 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 12.8 A
|IDS| @TC = +25°C (A) 26 A
PD @TA = +25°C (W) 2.1 W
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 8.5 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(2.5V)(mΩ) 12 mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(1.8V)(mΩ) 18.5 mΩ
|VGS(TH)| Min (V) 0.3 V
|VGS(TH)| Max (V) 1 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 28 nC
CISS Typ (pF) 2475 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 6 V
主要特征
0.6 毫米轮廓 – 薄型应用的理想选择
PCB 占地面积 4mm 2
低栅极阈值电压
低导通电阻
ESD 保护高达 8kV
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