CHZ015AaQEG 是一款输入匹配封装氮化镓高电子迁移率晶体管。
它为 L 频段的各种射频功率应用提供宽带解决方案。该电路非常适合脉冲雷达应用。
CHZ015AaQEG 采用 0.5μm 栅极长度的 GaN HEMT 工艺。它基于准MMIC技术。
它采用符合 RoHS 标准的 SMD 封装。
内部匹配的 GaN 功率晶体管
| 参考 | 射频带宽 (GHz) | 小信号增益 （dB） | 功率 （瓦） | 相关增益 (dB) | P-1dB 输出 (dBm) | PAE (%) | 直流偏置 | 案件 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 分钟 | 最大限度 | ||||||||
| CHZ015AaQEG | 1.2 | 1.4 | 17.2 | 15 | > 14 | - | > 55 | VDS 45V@ID_Q 100mA | QFN 塑料封装 |
CHZ180AaSEB
CHZ015AaQEG
CHZ8012-QJA
CHZ9012-QFA
