高功率 RF LDMOS FET 350 W；50V；1200 – 1400 兆赫
PTVA123501EC 和 PTVA123501FC LDMOS FET 设计用于 1200 MHz 至 1400 MHz 频段的功率放大器应用。特点包括高增益和耐热增强型封装，带有开槽和无耳法兰。采用Wolfspeed先进的LDMOS工艺制造；这些器件提供出色的热性能和卓越的可靠性。
特征
- 宽带内部输入输出匹配
- 高增益、高效率
- 集成 ESD 保护
- 低热阻
- 出色的坚固性
- 无铅且符合 RoHS 标准
应用领域
- 1200 至 1400 MHz 频段的功率放大器；雷达
CMPA5585030F-AMP
CMPA5585030F
CMPA5585030D
CGHV96050F1-AMP
CGHV96050F1
CMPA1H1J050F-AMP
CMPA1H1J050F
CGHV50200F-AMP
CGHV50200F
PTVA030121EA-V1
PTVA120252MT-V1
PTVA120251EA-V2
PTVA120501EA-V1
PTVA123501FC-V1
PTVA123501EC-V2
