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射频微波器件、组件一站式服务 国产替代选型

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DMC67D8UFDBQ 互补对增强模式 MOSFET 晶体管

MOSFET 半导体 晶体管
型号： DMC67D8UFDBQ

--- 产品参数 ---

  • 品牌 DIODES
  • 型号 DMC67D8UFDBQ
  • 名称 互补对增强模式 MOSFET
  • 产地 台湾
  • 封装 U-DFN2020-6

--- 产品详情 ---

DMC67D8UFDBQ 

产品简介
DIODES 的 DMC67D8UFDBQ 这种MOSFET设计用于满足汽车应用。它符合AEC-Q101标准，由PPAP，非常适合用于：
负载开关


产品规格 
品牌            DIODES
型号            DMC67D8UFDBQ
名称            互补对增强模式 MOSFET
产地            台湾
封装             U-DFN2020-6


产品参数
AEC Qualified Yes
Compliance (Only Automotive(Q) supports PPAP) Automotive
Polarity N+P
ESD Diodes (Y|N) Yes
|VDS| (V) 60, 20 V
|VGS| (±V) 20, 12 ±V
|IDS| @TA = +25°C (A) 0.39, 2.9 A
PD @TA = +25°C (W) 0.89 W
RDS(ON)Max@ VGS(10V)(mΩ) 4000, mΩ
RDS(ON)Max@ VGS(4.5V)(mΩ) 4100, 72 mΩ
|VGS(TH)| Max (V) 2.5, 1.25 V
QG Typ @ |VGS| = 4.5V (nC) 0.4,7.3 nC
CISS Typ (pF) 41, 443 pF
CISS Condition @|VDS| (V) 25,16 V


主要特征
低导通电阻
低输入电容
薄型，最大高度为 0.6mm
ESD 保护栅极


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