ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435是XFET?系列基准电压源，具有低噪声、高精度和低温度漂移性能。利用ADI公司的温度漂移曲率校正技术和外加离子注入场效应管(XFET)技术，可以使ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435电压随温度变化的非线性度降至低点。
与嵌入式齐纳基准电压源相比，XFET基准电压源能以更低的电流(800 μA)和更小的电源电压裕量(2 V)工作。嵌入式齐纳基准电压源需要5 V以上的裕量才能工作。ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435 XFET基准电压源是唯一适合5 V系统的低噪声解决方案。
ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435系列的源电流输出高达30 mA，最大吸电流能力为-20 mA。它还具有调整引脚，可以在±0.5%范围内调整输出电压，而性能则不受影响。
ADR430/ADR431/ADR433/ADR434/ADR435提供8引脚MSOP和8引脚窄体SOIC两种封装。所有型号产品的额定温度范围均为?40°C至+125°C扩展工业温度范围。
应用
- 精密数据采集系统
- 高分辨率数据转换器
- 医疗仪器
- 工业过程控制系统
- 光学控制电路
- 精密仪器
- 低噪声（0.1 Hz至10.0 Hz）：3.5 ?V p-p（2.5 V输出）
- 无需外部电容
- 低温度系数
- A级：10 ppm/°C（最大值）
- B级：3 ppm/°C（最大值）
- 负载调整率：15 ppm/mA
- 电压调整率：20 ppm/V
- 宽工作温度范围：7.0 V至18 V
MAX6226
LT6658AH-1.2
LT6658AH-1.8
LT6658AH-2.5
LT6658AH-3
LT6658AH-3.3
LT6658AH-5
LT6658AI-1.2
LT6658AI-1.8
LT6658AI-2.5
LT6658AI-3
LT6658AI-3.3
LT6658AI-5
LT6658BH-1.2
LT6658BH-1.8
LT6658BH-2.5
LT6658BH-3
LT6658BH-3.3
LT6658BH-5
LT6658BI-1.2
LT6658BI-1.8
LT6658BI-2.5
LT6658BI-3
LT6658BI-3.3
