概述描述:
这些HEXFET国双SO-8封装的功率MOSFET
利用最新的加工技术达到极致
单位硅面积的低导通电阻。的附加功能
这些HEXFET功率MOSFET是一个150°C结
工作温度，开关速度快，提高
重复雪崩额定值。
这些优势结合起来可以使得这种设计成为非常有效和可靠设备用于各种各样的应用。
高效的S0-8封装增强了散热性能
特性和双MOSFET芯片能力使其成为可能非常适合各种电源应用。
这个双重的表面安装SO-8可以显著减少电路板空间也有以磁带和卷轴形式。
- 先进加工技术
- 超低导通电阻
- 双P沟道MOSFET
- 表面黏着方式
- 提供磁带和卷轴
- 150°C工作温度
- 无铅的
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