QPD1009 是一种 GaN on SiC HEMT

Qorvo 的 QPD1009 是一种 GaN on SiC HEMT，工作频率范围为直流至 4 GHz。它提供 17 W 的输出功率，增益为 24 dB，PAE 为 72%。该晶体管需要 50 V 的电源电压并消耗高达 26 mA 的电流。它采用 3 x 3 mm QFN 封装，是军用雷达、干扰器、陆地移动和军用无线电通信的理想选择。

产品规格

产品详情

零件号               QPD1009

制造商               科尔沃

描述                  17 W GaN RF 晶体管，从 DC 到 4 GHz

一般参数

晶体管类型       HEMT

技术                 碳化硅上氮化镓、氮化镓

应用行业          无线基础设施、雷达、航空航天与国防、测试与测量

应用                军事、移动无线电、通信、测试仪器、干扰器、航空电子设备

连续波/脉冲    脉冲，连续波

频率               直流至 4 GHz

力量               41.76 分贝

功率(W)         15 瓦

饱和功率        42.3 分贝

脉冲宽度       128 我们

占空比          0.1

获得             24分贝

电源电压      12 至 60 伏

电压 - 栅源 (Vgs)  -2.8 伏

漏极偏置电流  26毫安

静态漏极电流  26毫安

包装类型        表面贴装

包裹              3 x 3 毫米

RoHS            是的

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