QPD1017 是一款内部匹配的分立式 GaN on SiC HEMT

Qorvo 的 QPD1017 是一款内部匹配的分立式 GaN on SiC HEMT，工作频率范围为 3.1 至 3.5 GHz。它提供 56.6 dBm (457 W) 的饱和输出功率，增益为 16.5 dB，PAE 为 60%。该晶体管需要 50 V 的电源电压并消耗高达 750 mA 的电流。它是完全匹配 50 欧姆的 GaN IMFET，采用行业标准气腔封装，非常适合军用雷达、民用雷达和测试仪器。

产品规格

产品详情

零件号                QPD1017

制造商                科尔沃

描述                   3.1 至 3.5 GHz 的 450 W GaN RF IMFET

一般参数

晶体管类型        HEMT

技术                  碳化硅上氮化镓、氮化镓

应用行业           雷达、航空航天与国防、测试与测量

应用                 军队

连续波/脉冲     脉冲，连续波

频率                3.1 至 3.5 GHz

力量                56.53 分贝

功率(W)          449.78 瓦

饱和功率         56.6 分贝

脉冲宽度        100 我们

占空比            0.1

获得               16.5分贝

电源电压        28 至 55 伏

电压 - 栅源 (Vgs)  -2.8 伏

漏极偏置电流   750毫安

静态漏极电流   750毫安

阻抗 Z          50 欧姆

包装类型      表面贴装

RoHS          是的

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