QPD0007 是一款单路径分立式 GaN 晶体管

Qorvo 的 QPD0007 是一款单路径分立式 GaN 晶体管，工作频率范围为 DC 至 5 GHz。它是一个单级晶体管，提供 43 dBm 的饱和输出功率，效率高达 73%。这种符合 RoHS 标准的晶体管需要 48 V 的直流电压并消耗 32.5 mA 的电流。它采用 GaN on SiC HEMT 工艺制造，采用尺寸为 4.5 x 4.0 mm 的 DFN 封装。该晶体管可用于 WCDMA/LTE、宏蜂窝/微蜂窝基站、小型蜂窝、有源天线、5G 大规模 MIMO 和通用应用。

产品规格

产品详情

零件号                   QPD0007

制造商                  科尔沃

描述                     20 W GaN on SiC HEMT，从直流到 5 GHz

一般参数

晶体管类型          HEMT

技术                    碳化硅上氮化镓、氮化镓

应用行业             无线基础设施，蜂窝

应用                   5G Massive MIMO、W-CDMA / LTE、Microcell 基站、Small Cell、有源天线

频率                  直流至 5 GHz

饱和功率           43分贝

获得                 19分贝

电源电压           48 V（漏极）

排水效率           73%

漏电流              32.5 毫安

无铅                 是的

包装类型         表面贴装

包裹                东风

方面                4.5 x 4.0 毫米

RoHS              是的

年级                商业，空间合格

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