QPD0006 是一种单路径高电子迁移率晶体管

Qorvo 的 QPD0006 是一种单路径高电子迁移率晶体管 (HEMT)，工作频率范围为 2.5 至 5 GHz。它提供 13.5 W (~41.3 dBm) 的输出功率，增益为 16 dB，漏极效率为 75%。该晶体管使用碳化硅 (SiC) 上的氮化镓 (GaN) 工艺制造。它需要 48 V 的直流电源并消耗 40 mA 的电流。该晶体管采用表面贴装 DFN 封装，尺寸为 4.5 x 4 mm，非常适合 WCDMA / LTE、宏蜂窝基站、微蜂窝基站、小型蜂窝、有源天线、5G 大规模 MIMO 和通用应用。

产品规格

产品详情

零件号                 QPD0006

制造商                科尔沃

描述                    2.5 至 5 GHz 的 13.5 W GaN-on-SiC HEMT

一般参数

晶体管类型           HEMT

技术                    碳化硅上的氮化镓

应用行业              蜂窝

应用                    5G Massive MIMO、通用、宏蜂窝基站驱动器、微蜂窝基站、小型蜂窝和有源天线、WCDMA

频率                    2.5 至 5 GHz

饱和功率             41.3 分贝

OIP3                  13.5分贝

获得                   16分贝

电源电压            48 伏

排水效率           75 %

静态漏极电流    40毫安

包裹                  DFN 封装

方面                 4.5 x 4.0 毫米

RoHS               是的

年级                 商业的

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