类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):50A;功率(Pd):26W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):10.5mΩ@10V,6A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.6V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):4.2nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):870pF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):87pF@15V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);
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类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):70A;功率(Pd):90W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.6mΩ@10V,20A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):60nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):3.45nF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):140pF@25V;工作温度:-55℃~+175℃@(Tj);
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类型:2个N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):24.7A;功率(Pd):19.2W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.5mΩ@10V,15A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):9.82nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):896pF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):108pF@15V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);
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类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):60A;功率(Pd):46W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.5mΩ@10V,30A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):12.6nC@4.5V;输入电容(Ciss@Vds):1.317nF@15V;反向传输电容(Crss@Vds):131pF@15V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);
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