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STMicroelectronics

STD16NF06T4

MOSFET N-CH 60V 16A DPAK

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STD16NF06T4 器件参数

Function

额定电流

16 A
额定电压

60 V
阈值电压

2 V
配置

Single
连续漏极电流

16 A
输入偏置电容@15V

400 pF
类型

N沟道
等级

Industrial
漏源电阻

70 mΩ
漏源电压

60 V
漏源极击穿电压

60 V
漏源导通电阻@10V,8A

60 mΩ
漏源导通电阻

70 mΩ
栅源电压

20 V
栅源极阈值电压@250uA

2 V
栅极电荷@10V

14.1 nC
晶体管类型

N沟道
接通延迟时间

4 ns
反向传输电容@15V

41.5 pF
功率耗散

40 W
关闭延迟时间

16 ns
元件数量

1
下降时间

5.5 ns
上升时间

15 ns

Physical

抗辐射加固

No
引脚数

3
工作温度@Tj

175 °C
工作温度(Min)

-55 °C
工作温度(Max)

175 °C
安装方式

Surface Mount
包装方式

Tape and Reel
制造商封装

TO-252

Compliance

无铅

Lead Free
REACH SHVC Compliant

No SVHC

Dimension

高度

2.4 mm
长度

6.6 mm
宽度

6.2 mm

STD16NF06T4 EDA模型

原理图符号

封装

3D模型

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STD16NF06T4 数据手册

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STD16NF06T4

1年前

Huaqiu Chip
Datasheet

1年前

Huaqiu Chip

STD16NF06T4 图片

Digikey
Huaqiu Chip

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