SI4532DY

制造商：ON Semiconductor

描述：MOSFET N/P-CH 30V 3.9/3.5A 8SOIC

Datasheet：

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器件参数

Function

额定电流

3.9 A
额定电压

30 V
阈值电压

3 V
闸/源截止电压

3 V
连续漏极电流

3.9 A
输入偏置电容

235 pF
漏源电阻

53 mΩ
漏源电压

30 V
漏源极击穿电压

30 V
漏源导通电阻

65 mΩ
栅源电压

20 V
栅极电荷@10V

15 nC
晶体管类型

N沟道和P沟道互补型
接通延迟时间

18 ns
功率耗散

2 W
关闭延迟时间

18 ns
元件数量

2
下降时间

6 ns
上升时间

8 ns
FET功能

标准

Physical

配置

Dual
抗辐射加固

No
引脚数

8
工作温度

-55 °C, 150 °C
安装方式

Surface Mount
包装方式

Tape and Reel
制造商封装

SOP-8

Compliance

无铅

Lead Free
RoHS

Yes
REACH SHVC Compliant

No SVHC

Dimension

高度

1.5 mm
长度

5 mm
宽度

4 mm

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