APT75GN60LDQ3G

制造商：Microchip Technology

描述：IGBT 600V 155A 536W TO264

Datasheet：

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器件参数

Function

集电极电流

155 A
集电极发射极饱和电压

1.45 V
集电极-发射极电压

600 V
集电极-发射极击穿电压

600 V
配置

Single
栅极电荷

485 nC
晶体管类型

Trench Field Stop
接通延迟时间

47 ns
功率耗散

536 W
关闭延迟时间

385 ns

Physical

重量

0.373904 oz
抗辐射加固

No
工作温度

-55 °C, 175 °C
安装方式

Through Hole
包装方式

Rail/Tube
包装数量

1
制造商封装

TO-264-3

Compliance

无铅

Lead Free

Dimension

高度

5.21 mm
长度

26.49 mm
宽度

20.5 mm

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