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Vishay

SI8425DB-T1-E1

MOSFET P-CH 20V 4WLCSP

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SI8425DB-T1-E1 器件参数

Function

配置

Single
通道数量

1
连续漏极电流

9.3 A
输入偏置电容

2.8 nF
漏源电阻

23 mΩ
漏源电压

20 V
漏源极击穿电压

-20 V
漏源导通电阻

23 mΩ
栅源电压

10 V
栅极电荷@10V

110 nC
晶体管类型

P沟道
接通延迟时间

50 ns
功率耗散

1.1 W, 2.7 W
关闭延迟时间

600 ns
元件数量

1
下降时间

200 ns
上升时间

50 ns

Physical

触点镀层

Tin
抗辐射加固

No
引脚数

4
工作温度

-55 °C, 150 °C
安装方式

Surface Mount
包装方式

Tape and Reel
制造商封装

4_UFBGA，WLCSP

Compliance

无铅

Lead Free

SI8425DB-T1-E1 EDA模型

原理图符号

封装

3D模型

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SI8425DB-T1-E1 数据手册

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1年前

Huaqiu Chip
Datasheet

poYBAGPLYzeACM6GAAPis6K8Kwo055.pdf

1年前

Huaqiu Chip

SI8425DB-T1-E1 图片

Huaqiu Chip
Digikey

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