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Diodes

MMDT5551-7-F

TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT363

数据手册下载立即订购

MMDT5551-7-F 器件参数

Function

额定电流

200 mA
额定电压

160 V
频率

300 MHz
集电极电流

200 mA
集电极截止电流

50 nA
集电极发射极饱和电压@50mA,5mA

200 mV
集电极-基极电压

180 V
集电极-发射极电压

160 V
集电极-发射极击穿电压

160 V
配置

Dual
转换频率

100 MHz
电流增益 hFE@10mA,5V

80
极性

NPN
晶体管类型

2个NPN
增益带宽乘积

300 MHz
发射极 - 基极电压

6 V
功率耗散

200 mW
击穿电压

160 V
元件数量

2

Physical

重量

0.000212 oz
端子数量

6
抗辐射加固

No
引脚数

6
工作温度@Tj

150 °C
工作温度(Min)

-55 °C
工作温度(Max)

150 °C
安装方式

Surface Mount
包装方式

Tape and Reel
制造商封装

SOT-323-6

Compliance

无铅

Lead Free
REACH SHVC Compliant

No SVHC

Dimension

高度

1 mm
长度

2.2 mm
宽度

1.35 mm

MMDT5551-7-F EDA模型

原理图符号

封装

3D模型

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MMDT5551-7-F 数据手册

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1年前

Huaqiu Chip
Datasheet

MMDT5551-7-F

1年前

Huaqiu Chip

MMDT5551-7-F 图片

Huaqiu Chip
Digikey

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