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替代物料
NTMSD2P102R2
制造商:ON Semiconductor
描述:
Datasheet:
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器件参数
Function
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额定电流
-2.3 A
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额定电压
-20 V
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连续漏极电流
2.3 A
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输入偏置电容
750 pF
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漏源电压
20 V
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漏源导通电阻
90 mΩ
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栅极电荷
18 nC
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晶体管类型
P沟道
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功率耗散
710 mW
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FET功能
肖特基二极管(隔离式)
Physical
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安装方式
SMT
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包装方式
Tape and Reel
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制造商封装
SOIC