NGTB50N65FL2WG

制造商：ON Semiconductor

描述：IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247-3

Datasheet：

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器件参数

Function

集电极电流

100 A
集电极发射极饱和电压

1.8 V
集电极-发射极电压

2 V
集电极-发射极击穿电压

650 V
配置

Single
类型

沟槽场截止
正向电流

100 A
正向电压

2.1 V
栅极电荷

220 nC
晶体管类型

沟槽型场截止
反向恢复时间

94 ns
功率耗散

417 W

Physical

工作温度@Tj

175 °C
工作温度(Min)

-55 °C
工作温度(Max)

175 °C
安装方式

Through Hole
包装方式

Rail/Tube
制造商封装

TO-247-3

Compliance

无铅

Lead Free
RoHS

Yes

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