APT80GA90B

制造商：Microchip Technology

描述：IGBT PT 900 V 145 A 625 W Through Hole TO-247 [B]

Datasheet：

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器件参数

Function

集电极电流

145 A
集电极-发射极电压

900 V
集电极-发射极击穿电压

900 V
配置

Single
栅极电荷

200 nC
晶体管类型

PT
功率耗散

625 W

Physical

抗辐射加固

No
工作温度

-55 °C, 150 °C
安装方式

Through Hole
包装方式

Rail/Tube
制造商封装

TO-247-3

Compliance

无铅

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

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