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1N4448HWT-7

制造商:Diodes

描述:DIODE GEN PURP 80V 125MA SOD523

Datasheet:

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    Huaqiu Chip

器件参数

Function

  • 额定电流
    125 mA
  • 额定电压
    80 V
  • 额定功率
    150 mW
  • 重复反向电压
    80 V
  • 配置
    Single
  • 输出电流
    250 mA
  • 浪涌电流
    2 A
  • 正向电流
    125 mA
  • 正向电压@150m
    1.25 V
  • 极性
    Standard
  • 最大正向浪涌电流(Ifsm)
    2 A
  • 恢复时间
    4 ns
  • 平均整流电流
    125 mA
  • 峰值非重复浪涌电流
    2 A
  • 峰值反向电压
    80 V
  • 容值
    3 pF
  • 反向电压
    80 V
  • 反向漏电流@80V
    100 nA
  • 反向恢复时间
    4 ns
  • 功率耗散
    150 mW
  • 二极管配置
    独立式

Physical

  • 端子间距
    1.4 mm
  • 焊端样式
    SMD
  • 抗辐射加固
    No
  • 引脚数
    2
  • 工作温度@Tj
    150 °C
  • 工作温度(Min)
    -65 °C
  • 工作温度(Max)
    150 °C
  • 安装方式
    Surface Mount
  • 包装方式
    Tape and Reel
  • 制造商封装
    SOD-523

Compliance

  • 无铅
    Lead Free
  • RoHS
    Yes
  • REACH SHVC Compliant
    No SVHC

Dimension

  • 高度
    650 ?m
  • 长度
    1.3 mm
  • 宽度
    900 ?m
库存量:0
预计交期:
数量
单价
总价(阶梯最低数量总价)

EDA模型
下载zip

原理图符号
封装
3D模型

替代物料